共14家!8英寸碳化硅衬底企业进度一览

作者 | 发布日期 2023 年 02 月 10 日 16:27 | 分类 碳化硅SiC

当下,电动汽车渗透率不断增高,同时整车电气架构向800V高压方向演进,这一趋势推动了市场对SiC器件的需求。其中,SiC衬底作为成本最高、技术壁垒最高的环节,其产能却远不足以匹配市场需求,SiC衬底的革新迫在眉睫。

扩大SiC衬底尺寸既能增加产能供给,又能进一步降低SiC器件的平均成本,因此,当下,全球正积极逐鹿8英寸市场。

领先者:量产节点在2023年

对于SiC衬底企业而言,市场的争夺战不仅仅是产能的比拼,也是衬底尺寸的比拼。就当下而言,国际企业对于8英寸碳化硅衬底的量产已提上日程,属于“领先者”的角色。

Wolfspeed是当之无愧的第一梯队成员。2015年Wolfspeed展示了8英寸碳化硅衬底、2019年完成了首批8英寸碳化硅衬底样品的制样。产能方面,2022年4月,Wolfspeed启用了全球第一家8英寸碳化硅晶圆厂、2023年2月宣布计划在德国萨尔州再建8英寸碳化硅工厂,新工厂预计可于2023年上半年启动。

Coherent(原名II-VI)在2015年7月展示了8英寸导电型SiC衬底,2019年又推出了半绝缘8英寸SiC衬底。2022年3月,其宣布将在美国伊斯顿大规模建设近30万平方英尺的工厂,以扩大6英寸和8英寸SiC衬底和外延晶片的生产。

罗姆于2009年收购德国SiC衬底和外延片供应商SiCrystal、在2015年展示了8英寸SiC衬底。在PowerUP Expo 2022上,罗姆半导体美国总裁Jay Barrus表示,他们将于2023年开始量产8英寸SiC衬底产品。

英飞凌在2020年9月宣布其8英寸SiC晶圆生产线已经建成。据悉,英飞凌同样计划在2023年左右开始量产8英寸衬底,2025年实现8英寸碳化硅器件的量产。

Soitec在2022年5月发布了首款8英寸碳化硅SmartSiC晶圆。产能方面,Soitec在2022年3月启动新晶圆厂建设计划,用于6英寸、8英寸SmartSiC晶圆制造,预计2023年下半年建成投产。

意法半导体在2019年收购了Norste公司,并将其更名为意法半导体碳化硅公司。2021年7月,意法半导体宣布瑞典北雪平工厂制造出首批8英寸SiC晶圆片。目前,意法半导体正积极推进碳化硅晶圆产线从6英寸向8英寸转型,预计2023年8英寸碳化硅晶圆即将量产。

安森美在2021年第3季度通过收购衬底供应商GTAT,顺利搭建了从碳化硅晶锭、衬底、器件生产到模块封装的垂直整合模式。产能方面,2022年8月,安森美位于新罕布什尔州哈德逊市的SiC工厂落成,建成之后碳化硅产能将同比增长五倍;2022年9月,安森美在捷克共和国罗兹诺夫扩建的碳化硅工厂落成,并将在未来两年内将其碳化硅晶圆产能提高16倍,进一步扩大晶圆和SiC EPI制造。

可以看到,目前实际上仅有Wolfspeed实现8英寸碳化硅量产,而大多数国际企业则将8英寸碳化硅衬底的量产节点定在2023年左右。

同时,SiC器件国际供应商逐渐补齐了衬底版图,比如意法半导体收购了Norstel、罗姆收购了SiCrystal、安森美收购了GTAT。SiC衬底成为兵家必争之地,产业链垂直整合的趋势也愈发明显。

追赶者:在2022年突飞猛进

相比之下,国内碳化硅产业起步较晚,在碳化硅衬底尺寸上也有所落后,属于“追赶者”的角色。

但在2022年,中国碳化硅衬底的研发仿佛被按下了“加速键”,多家企业在衬底尺寸上实现了突破。

烁科晶体方面在2020年10月便已完全掌握了4-6英寸衬底片“切、磨、抛”工艺,同时8英寸衬底片已经研发成功;2022年1月,烁科晶体实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产。

天科合达在2020年开始开展8英寸导电型SiC单晶衬底的研发工作,目前已突破了8英寸晶体扩径生长和晶片加工等关键技术难题,并在2022年11月发布8英寸导电型SiC单晶衬底。天科合达还计划在2023年实现8英寸衬底产品的小规模量产。

科友半导体于2022年10月在6英寸碳化硅晶体厚度上实现40毫米的突破,后又在12月份宣布,其通过自主设计制造的电阻长晶炉产出直径超过8英寸的碳化硅单晶,晶体表面光滑无缺陷,最大直径超过204毫米。

天岳先进从籽晶入手,在粉料合成、热场设计、工艺固化、过程控制、加工检测等全流程实现技术自主可控。2020年,天岳先进启动了8英寸碳化硅衬底的研发,并在ICSCRM 2022上宣布成功研发了8英寸碳化硅衬底。目前,8英寸产品虽然未达到量产的程度,但项目研发进展顺利。

晶盛机电在2022年8月宣布首颗N型SiC晶体成功出炉。2023年2月4日,在晶盛机电6英寸双片式SiC碳化硅外延设备发布会上,晶盛机电介绍,公司已完成了6英寸到8英寸的扩径和质量迭代,实现8英寸抛光片的开发,晶片性能参数与6英寸晶片相当,今年二季度将实现小批量生产。

中科院物理所于2021年10月在自研的衬底上初步生长出了8英寸SiC晶体。来到2022年5月份,科研人员通过优化生长工艺,进一步解决了多型相变问题,持续改善晶体结晶质量,成功生长出了单一4H晶型的8英寸SiC晶体,晶坯厚度接近19.6mm,加工出厚度约2mm的8英寸SiC晶片。

此外,山东大学官网在2022年9月份也宣布,徐现刚教授团队在8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备技术领域取得重要突破。据悉,团队与南砂晶圆半导体公司合作,采用物理气相传输法(PVT)扩径制备了8英寸导电型4H-SiC单晶,并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底。

国内厂商存广阔替代空间

碳化硅是资金、人才、技术密集型行业。应用领域方面,得益于优异的能源转换效率,碳化硅在电动汽车、光伏、轨道交通、智能电网、家电等领域均有广泛应用前景。以电动汽车为例,据TrendForce集邦咨询调查与分析,随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术,预估2026年车用SiC功率元件市场规模将攀升至39.4亿美元。

衬底环节制造难度大,而国内碳化硅产业起步较晚。但在政府的支持下,企事业单位、科研机构正潜心研发。

特别是在衬底尺寸上,可以看到,国际企业大多将8英寸碳化硅衬底的量产节点定在2023年左右,但中国企业也不遑多让,烁科晶体已实现小批量量产,而天科合达、晶盛机电也宣布将在2023年实现8英寸碳化硅衬底的小批量量产。

当然,“小批量量产”与“量产”是不同的,二者在良率、成本上有着本质的差别。但对比碳化硅衬底4英寸、6英寸时代而言,当下的差距已有了较大的进步:国际上,4英寸碳化硅衬底量产时间相比国内早10年以上;6英寸则大致早7年。

而一个明显的趋势是,从4英寸到6英寸,代差正在缩短。来到8英寸,差距犹存,但中国正在加速追赶。未来的碳化硅市场,中国必将占一席之地。(文:集邦化合物半导体 Winter)

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