近日，合盛硅业股份有限公司旗下子公司 —— 宁波合盛新材料有限公司宣布成功研发出 12 英寸（300mm）导电型碳化硅（SiC）单晶晶体，并同步启动了针对大尺寸晶体的切割、研磨、抛光等工艺的系统研究。这一成果标志着我国在 SiC 大尺寸晶体制造领域取得了具有里程碑意义的技术突破。
图片来源：合盛硅业——左图为12英寸晶片，右图为12英寸晶锭
经过多年的持续攻关与深度积累，宁波合盛新材料已实现从高纯石墨纯化、SiC 多晶粉料制备，到单晶生长与晶片加工的完整技术链条自主可控。此次 12 英寸晶体的成功制备，是继 2024 年 8 英寸碳化硅衬底实现量产化之后的又一重大飞跃。
面对全球碳化硅产业的扩产热潮与技术竞争，近期我国多家企业12英寸SiC技术领域取得了显著进展。
5月18日，晶驰机电举行河北省首台（套）12寸电阻法高纯碳化硅晶体生长炉交付仪式，该系列产品是晶驰机电入驻正定后自主完成研发生产的高端装备。
5月12日，晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC宣布，成功实现12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶生长，首颗晶体直径达309mm且质量完好。
5月8日，南砂晶圆在参加行业大会时，在现场展示了12英寸导电型SiC衬底等重点产品，成功实现大尺寸碳化硅衬底的突破。
近日，山东力冠微电子装备公开表示，已攻克12英寸PVT电阻加热长晶炉的研发难关，并于近期完成首批两台设备的交付。
碳化硅作为第三代半导体材料的代表，具有高禁带宽度、高硬度和耐磨性、高热导率等优异特性，是制造高压、高温、高频功率器件的理想材料。然而，大尺寸碳化硅晶体的制备长期以来是世界性技术难题，向 12 英寸规模进阶，需要在热场控制、晶体缺陷抑制、加工耗损控制等多个维度同步突破。
（集邦化合物半导体 niko 整理）
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