8月6日，根据九峰山实验室官微消息，九峰山实验室（JFS Laboratory）推出新型碳化硅沟槽MOSFET科研级器件样品，旨在满足产业及科研机构对具有完全自主知识产权的SiC沟槽新型器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动下一代碳化硅沟槽型MOSFET功率器件的产业发展。
图片来源：九峰山实验室
据介绍，此次推出的科研样品分为两种IP结构，一种是基于九峰山实验室完全自主IP的SiC胶囊型沟槽MOSFET结构，结合优化设计的新型终端技术，提供高可靠性SiC Trench MOSFET。另一种是基于九峰山实验室完全自主IP的SiC双侧深掩蔽沟槽MOSFET结构，已通过HTGB、H3TRB，HTRB可靠性检测。
第一种IP结构的样品规格是BV≥1400V，60~80mΩ，可为客户提供bare die （有源区面积约3.35mm*3.35mm）或者TO-247 3 pin封装形式的器件，适用于特定测试及应用场景。10~40mΩ器件正在流片中，可接受定制化开发。
第二种IP结构的样品规格是BV≥1400V，20~80mΩ，Ronsp~2-2.4mOhm.cm2；可为客户提供bare die（有源区面积约3.35mm*3.35mm）和TO-247 3 pin封装形式的器件，适用于特定测试及应用场景。16mΩ以下芯片（有源区面积约5mm*5mm）正在流片中，可接受定制化开发。
湖北九峰山实验室是由湖北省人民政府批复组建，于2021年4月在武汉市东湖开发区注册成立的化合物半导体研发创新中心。九峰山实验室在碳化硅沟槽结构IP、模型仿真及沟槽关键工艺开发方面做了大量研究和储备，系统性解决了一直困扰业界的沟槽型碳化硅MOSFET的多项工艺难题。
（集邦化合物半导体 Niko 整理）
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