8月12日，全球晶圆代工龙头台积电（TSMC）披露，董事会已决定在未来两年内逐步退出6英寸晶圆制造业务，并持续整并8英寸晶圆产能。此举对第三代半导体的碳化硅和氮化镓产生了不同程度的影响。
台积电在声明中指出，此项决定不会影响公司先前公布的财务目标，即2025年美元营收将增长约30%的预期。同一天，台积电董事会也核准了超过206亿美元的资本预算，用于建置先进及成熟制程产能、厂房兴建及厂务设施工程等，显示其持续投资高阶技术，并对成熟制程进行策略调整的决心。
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业务聚焦：退出6英寸，整并8英寸
在官方公告前，市场已流传相关风声，有传闻称台积电将关闭在台湾的最后一座6英寸晶圆厂，并通知相关电源IC设计公司，此举最终得到了官方证实。
公开资料显示，台积电的这座6英寸晶圆厂月产能约8.3万片，营收占比不到0.5%，其战略重要性已显著降低。该厂主要采用0.45μm及以上 的成熟制程，生产传感器、模拟电路和基础功率器件等产品，广泛应用于物联网、消费电子和工业控制等领域。尽管这些产品在传统且对成本敏感的市场中仍有稳定需求，但其增长潜力已远不如先进制程。
台积电的这一战略调整对业界产生了多方面的影响。首先，对于依赖其6英寸产能的客户而言，订单转移成为首要挑战。台积电已提供了多种解决方案：部分订单可能转移至其12英寸产线以利用规模化优势，而另一部分则可能交由其子公司世界先进接手，该公司作为成熟制程领域的专家，能确保客户供应的平稳过渡。
其次，此举是台积电优化产能、布局未来的一项重要举措。退出6英寸制造业务后，其闲置的厂区土地和厂房有望被重新利用。有分析认为，台积电很可能会将该厂址改造为 先进封装厂，以支持其在CoWoS和SoIC等技术领域的扩张。这将有助于台积电满足日益增长的AI芯片对异质整合（Heterogeneous Integration）的巨大需求。
此次调整背后有多重因素。一方面，6英寸晶圆制造业务的市场需求逐渐萎缩，而整合8英寸产能能够显著提升生产效率。另一方面，台积电正在将资源向高利润领域倾斜，例如高性能计算和AI芯片的先进制程与封装业务。值得注意的是，这与此前台积电计划退出氮化镓（GaN）业务的决策一脉相承，其原因都包括业务优先级重构、市场竞争恶化以及供应链风险等因素。
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氮化镓（GaN）：战略性退出与产能腾挪
台积电退出6英寸制造业务，与此前其在氮化镓业务上的动作紧密关联。市场消息显示，台积电已计划在未来两年停止其晶圆五厂的GaN生产，并将其改造为先进封装产线。
这一决策背后有多重因素考量：台积电的GaN业务主要在6英寸晶圆上进行，营收贡献低，其战略优先级被大幅下调。相较于利润丰厚的先进制程和供不应求的先进封装业务，GaN的战略重要性显著降低。
此外，此举也为台积电的GaN客户提供了平稳的过渡方案。作为台积电GaN业务的主要客户，纳微半导体（Navitas）已未雨绸缪，与力积电（PSMC）建立了战略合作关系，确保8英寸硅基氮化镓技术的生产。这为台积电的退出提供了平稳的外部解决方案，也使力积电成为该市场的主要受益者。
最关键的是，退出GaN业务使得台积电能够将原晶圆五厂的厂房和无尘室直接转用于先进封装。在AI芯片需求爆发的当下，台积电的CoWoS产能持续供不应求。通过快速将低效能产线转为高价值的先进封装产线，台积电能够迅速扩充产能，巩固其在AI芯片代工市场的绝对优势。
碳化硅（SiC）：多维度布局与强化合作
台积电目前在碳化硅领域已有一定的技术储备和产业布局。公司董事长刘德音曾透露，台积电已经开发了多种与碳化硅相关的高压产品。
虽然台积电并未直接运营大规模的SiC产线，但它通过多元化的产业布局，强化了自身在这一领域的竞争力。首先，台积电在SiC领域的技术研发与工艺探索方面取得了显著进展，并正在探索将成熟工艺节点的产能升级为特殊工艺。此外，台积电通过其子公司世界先进（VIS）间接强化了SiC布局。
2024年，世界先进与汉磊科技宣布计划联合建设一座8英寸晶圆厂，专门用于SiC芯片的生产。这种合作模式将汉磊科技在SiC领域的技术积累与台积电在半导体制造方面的领先技术和产能管理能力相结合，实现了优势互补，共同加速8英寸SiC技术的开发和量产。
值得注意的是，台积电与世界先进的SiC项目直接定位于8英寸晶圆，而非更传统的6英寸。这表明台积电看到了8英寸SiC晶圆在未来电动汽车、工业电源等高增长市场的巨大潜力，并选择以更先进、更具规模效益的技术平台切入，而非停留在6英寸的存量市场竞争。
（集邦化合物半导体 竹子 整理）
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