“芯能半导体”官微消息，近期芯能发布新一代高效、高功率密度、高可靠性的电力电子核心功率转换解决方案。基于先进的宽禁带半导体材料——碳化硅 (SiC)，集成SiC MOSFET并内置优化的驱动与过流保护电路，功率在300W以下支持无散热器应用。
图片来源：芯能半导体
相比传统硅基IGBT IPM，碳化硅IPM系统效率可提升2%至5%甚至更高，尤其在部分负载和开关频率提升时优势更明显。同时，碳化硅IPM能大幅降低能源损耗，减少散热需求，直接降低系统运行成本和温升。此外，SiC器件支持数倍于硅基器件的开关频率 (可达100kHz甚至更高)。
芯能半导体介绍，上述方案集成了半桥驱动芯片、高性能SiC-MOSFET，适用于正弦波或梯形波调制应用，内部集成自举二极管，双通道欠压保护，所有通道延迟时间匹配，兼容3.3V逻辑电平输入，输入信号互锁保护，防止桥臂直通，内部集成过流保护和过温保护功能，集成温度监控与输出功能，并具备上电及断电使能功能。
系统测试显示，无散热系统，将IPM模块顶部/底部粘上热电偶探头；IPM样品顶部温度通过热电偶探头使用温度记录仪器监控实时温度；在环境温度35℃，控制载波频率16KHz，母线电压310V；持续运行负载电流0.6A、0.8A、1.5A、2.0A（峰峰电流）采集整机恒定温度。
电流0.8A下，同类产品优化40度，不同封装优化50度，并且无散热器电流能达到2A。功率在300W以下支持无散热器应用。安装散热片的情况下，功率可以支持到1000瓦。
（集邦化合物半导体整理）
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