11月4日，环球晶（GlobalWafers）宣布，公司在核心技术研发上取得重大突破：其方形碳化硅（SiC）晶圆以及具有里程碑意义的12英寸碳化硅（SiC）晶圆的原型开发已成功完成，并已正式进入客户送样与验证阶段。
环球晶此次原型产品的成功，旨在迎合电动汽车（EV）、再生能源和高功率工业电源等市场对高效能功率元件的迫切需求。
图片来源：环球晶官网新闻稿截图
在业绩说明会上，环球晶董事长徐秀兰表示，相对于全球多数SiC厂商仍在努力解决8英寸晶圆的良率和商业化问题，环球晶直接挑战行业极限，成功研发出12英寸SiC晶圆原型，具有巨大的战略意义。
她表示，12英寸晶圆的核心价值在于能够切割出更多芯片，从而显著摊薄制造成本，是SiC器件实现大规模商业化和成本下降的关键；同时，更大的尺寸也具备优异的导热性，能更好地支持高功率应用对高效率、高功率密度的需求。
环球晶的SiC发展战略布局已久，并逐步实现关键技术节点的超越。公司凭借其从晶锭到成品晶圆的垂直整合能力，建立了SiC长晶、切片、研磨到抛光的全套制程。早在2023年，环球晶就已成功将碳化硅长晶技术推进至8英寸，与国际大厂同步。
环球晶公司预计，8英寸SiC产品将于2024年第四季开始小批量出货，2026年8英寸总出货量比重将超越6英寸。
图片来源：环球晶
该公司正同步加速全球范围内的化合物半导体产能扩张。除了推进8英寸SiC的量产进程外，环球晶亦持续深化切割、研磨与抛光等核心制程技术。另外，除了碳化硅，氮化镓技术也是环球晶重点聚焦的新材料之一，氮化镓因其高电子饱和迁移率特性，搭配半绝缘碳化硅基板，在高频通讯元件上也具备极佳的应用优势。
在公布技术突破的同时，环球晶亦通过了截至2025年9月30日止的第三季财务报告。第三季合并营收为新台币144.9亿元，相较上季季减9.46%、年减8.67%，税后每股盈余（EPS）为4.12元。
营收下滑主要有两个原因：一是部分客户为降低不确定性风险而提前在第二季出货，导致第三季基期偏高；二是今年以来新台币兑美元显著升值，对以新台币计价的营收造成明显的压抑效应。公司强调，若以美元原币计算，前三季累计营收达14.8亿美元，较去年同期仍成长2.45%。这表明尽管新台币账面营收承压，但公司的美元实质运营仍维持稳健。前三季累计来看，公司营收达461亿元，EPS累计为10.68元。
（集邦化合物半导体 竹子 整理）
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