Author Archives: KikiWang

新微半导体：氮化镓功率全工艺平台年产能突破60,000片
作者 |发布日期 2025 年 12 月 05 日 16:40 | 分类 氮化镓GaN
近期，由临港新片区管理委员会指导，新微半导体主办的“氮化镓驱动AI芯时代——临港氮化镓功率器件产业链峰会”成功举行。 会上，新微半导体宣布其100V-200V氮化镓功率工艺平台发布，同时该公司氮化镓功率全工艺平台实现年产能突破60,000片。 图片来源：新微半导体 新微半导体指出...  [详内文]

芯联绍兴集成电路产业基金成立，两大半导体项目同步落地
作者 |发布日期 2025 年 12 月 05 日 16:37 | 分类 企业 , 半导体产业
近期，芯联集成在资本、财务及技术端密集布局。12月2日，公司正式设立产业基金并绑定关键供应商，此前三季报显示营收增长近两成且亏损大幅收窄。结合最新发布的碳化硅G2.0技术平台，公司正通过“补链”与“扩产”双管齐下，为2026年预期的扭亏为盈目标积蓄动能。 图片来源：芯联集成官微...  [详内文]

英诺赛科“朋友圈”+1，携手安森美剑指200毫米氮化镓技术
作者 |发布日期 2025 年 12 月 05 日 16:29 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
12月3日，英诺赛科（Innoscience）与安森美（Onsemi）半导体共同宣布，双方签署谅解备忘录，探讨利用Innoscience经过验证的200毫米氮化镓对硅工艺，扩大氮化镓（GaN）功率器件的生产。 图片来源：英诺赛科新闻稿截图 此次合作将结合Onsemi的系统集成、...  [详内文]

全球首个8英寸蓝宝石基氮化镓功率器件量产落地
作者 |发布日期 2025 年 12 月 05 日 16:17 | 分类 氮化镓GaN
近日，广东致能半导体官微宣布，于2025年11月携手国际知名8英寸Fab完成全球首个8英寸蓝宝石基氮化镓功率器件量产落地。 图片来源：广东致能半导体官微 据介绍，致能半导体通过导入行业领先的制造工艺及创新的技术平台，产品在芯片尺寸、生产成本、电学性能、制造一致性等核心指标方面均...  [详内文]

这个碳化硅芯片封装项目正式落地成都
作者 |发布日期 2025 年 12 月 05 日 16:12 | 分类 碳化硅SiC
中科光智近期完成B轮融资首家签约并获数千万元投资，碳化硅芯片封装设备研发制造中心正式落地成都金牛，将填补区域半导体制造后道环节空白。 图片来源：中科光智 项目落地金牛区，补强半导体封测产业链 近期，成都市金牛区人民政府与中科光智签署投资合作协议，标志着碳化硅芯片封装设备研发制造中...  [详内文]

1.14亿港元，LED企业收购氮化镓厂商
作者 |发布日期 2025 年 12 月 05 日 15:52 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
12月1日，宏光半导体发布公告，拟以约1.14亿元港元收购深圳镓宏半导体约12.98%的股权，加码第三代半导体业务。 交易方式上，代价A将由宏光半导体通过向卖方A各自的代名人配发及发行合共14677万股股份的方式支付，发行价为每股0.50港元。代价B将由公司通过向卖方B发行承兑票...  [详内文]

芯上微装首台350nm步进光刻机发运，助力国产化合物半导体
作者 |发布日期 2025 年 12 月 02 日 18:33 | 分类 化合物半导体
近期，上海芯上微装科技股份有限公司（以下简称“芯上微装”）自主研发的首台350nm步进光刻机（AST6200 ）正式完成出厂调试与验收，启程发往客户现场，将为国产化合物半导体制造提供强有力的核心装备支撑。 图片来源：芯上微装 AST6200光刻机是芯上微装基于多年光学系统设计、...  [详内文]

TrendForce集邦咨询分析师亮相APCSCRM 2025，深度解析SiC功率半导体市场趋势
作者 |发布日期 2025 年 12 月 02 日 18:25 | 分类 功率 , 化合物半导体 , 展会
第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）于11月25日至27日在郑州中原国际会展中心圆满落幕。本届大会以“芯联新世界，智启源未来（Wide Bandgap, Wider Future）”为主题，汇聚了全球十多个国家和地区的800余位专家学者、企业代表及行业精...  [详内文]

晶盛机电、三安光电碳化硅新进展
作者 |发布日期 2025 年 12 月 02 日 17:23 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近期，碳化硅领域新进展不断。三安光电全资子公司湖南三安举行碳化硅芯片上车仪式，与理想汽车合作迈入新阶段，未来还将加大研发投入巩固优势；晶盛机电在接受鹏华基金调研时，回应了碳化硅产能、不同尺寸进展等问题，其业务成果显著，并对碳化硅未来前景充满信心。 01、三安光电碳化硅芯片成功上车...  [详内文]

9mΩ车规级GaN FET：打破功率氮化镓能效天花板？
作者 |发布日期 2025 年 12 月 01 日 17:58 | 分类 氮化镓GaN
近日，镓未来正式宣布推出G2E65R009系列650V 9mΩ车规级氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。这款符合汽车AEC-Q101标准的650V氮化镓分立器件，以全球最小的9mΩ导通电阻（Rds(on)），将为新能源汽车、工业电机、储能系统、光伏逆变等多领域带来更多技术突破的...  [详内文]