据北京顺义消息,北京铭镓半导体有限公司(以下简称“铭镓半导体”)在超宽禁带半导体氧化镓材料开发及应用产业化方面实现新突破,已领先于国际同类产品标准。
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铭镓半导体董事长陈政委表示,半绝缘型(010)铁掺衬底和该衬底加导电型薄膜外延,目前国际可做到25毫米...  [详内文]
铭镓半导体在氧化镓材料方面实现新突破 |
作者 huang, Mia | 发布日期: 2024 年 06 月 06 日 14:30 | | 分类: 企业 |