据外媒报道,纳微半导体日前宣布了SiC外延片产能建设计划,以加强对产业链控制、减少成本并提高其GeneSiC碳化硅业务的营收能力。
根据规划,公司将投资2000万美元,在位于加利福尼亚州托伦斯的总部建立一个三反应腔的SiC外延生长设施,第一台具有6、8英寸晶圆处理能力的AIXTR...  [详内文]
纳微启动SiC外延片产能建设计划 |
作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 31 日 17:20 | 分类 碳化硅SiC |