30亿投资，安世半导体封测厂扩建项目摘牌

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 06 月 13 日 17:22 | 分类 碳化硅SiC | edit

昨日，安世半导体（中国）有限公司封测厂扩建项目成功摘牌。 据悉，项目总投资30亿元，从事产业内容包括但不限于分立器件、模拟&逻辑ICs、功率MOSFETs。 图片来源：拍信网正版图库 2022年10日，安世半导体与东莞市黄江镇人民政府签署了《安世半导体（中国）有限公司封...  [详内文]

向8英寸进击，拿下SiC的天王山

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 06 月 13 日 17:20 | 分类 碳化硅SiC | edit

6月7日，平地一声惊雷，一则合资建厂的消息震动整个SiC市场，三安光电和意法半导体两位主角宣布，将斥资50亿美元在重庆建立一座8英寸SiC器件厂，在此基础上，三安光电再配套建一座衬底厂。根据意法半导体的估算，到2030年该厂将帮助意法半导体实现50亿美元的SiC营收，作为对比，2...  [详内文]

【会议预告】集邦咨询：2023全球第三代半导体市场机遇与挑战

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 06 月 12 日 17:29 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

第三代半导体碳化硅和氮化镓被视为后摩尔时代材料创新的关键角色。近年来，汽车、光伏储能等应用带动碳化硅市场迅速扩大，氮化镓功率元件于消费电子市场率先放量，工业、汽车应用潜力巨大。 目前，全球能源技术革命已经开启，并向材料领域渗透，第三代半导体将在实现碳达峰、碳中和的过程中发挥怎样的...  [详内文]

又一实验室揭牌，瞄准化合物半导体EDA领域

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 06 月 12 日 17:28 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

近日，九峰山-华大九天联合实验室“神舟实验室”正式揭牌。该实验室由九峰山实验室和北京华大九天科技股份有限公司共同组建，由北京华大九天科技股份有限公司研发副总朱能勇、九峰山实验室无线互联首席专家吴畅共同担任主任。 图片来源：拍信网正版图库 “神舟实验室”将针对化合物半导体EDA软...  [详内文]

聚焦芯片研发，上汽通用五菱与电科芯片签署协议

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 06 月 12 日 17:27 | 分类 碳化硅SiC | edit

近日，上汽通用五菱与电科芯片举行战略合作协议签署仪式。 上汽通用五菱官方消息显示，双方将以此次为战略合作协议签约为契机，基于用户使用场景，在芯片研发领域深入开展合作，以全面“2C”为导向，坚持走自主创新的道路，携手助力芯片国产化，推动“一二五工程”项目成果实现新突破。 上汽通用五...  [详内文]

【会议预告】芯聚能半导体：车规级功率半导体技术发展

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 06 月 12 日 15:54 | 分类 碳化硅SiC | edit

在市场对节能减排和驾驶舒适性的更高要求下，新能源汽车逐步走向时代舞台中央，车规级功率半导体需求随之逐渐攀升。 SiC作为第三代半导体材料，具有比硅更优越的性能。不仅禁带宽度较大，还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性，成为了新能源汽车领...  [详内文]

中电化合物半导体扩产项目预计9月投产

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 06 月 12 日 15:52 | 分类 碳化硅SiC | edit

据宁波前湾新区发布消息，中电化合物半导体扩产项目计划于今年9月完成厂房装修并投产。 中电化合物成立于2019年，是由中国电子信息产业集团有限公司（央企）旗下华大半导体有限公司主导投资的一家致力于开发、生产宽禁带半导体材料的高科技企业。 公司注册资本4.7亿，主要聚焦在大尺寸、高性...  [详内文]

新能源车SiC-MOSFET发展分析

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 06 月 12 日 15:52 | 分类 碳化硅SiC | edit

功率半导体包含功率集成电路和功率分离式组件。功率集成电路安装在驱动电路板上，以发送信号控制功率组件/模块进行开关。 功率组件是一种只用于电力转换和控制的电子组件，分为二极管（整流和保护电路）、晶体管（负责开关）与闸流体（电路驱动）。其中晶体管是电能转换损耗的主要来源，因此是功率组...  [详内文]

扬杰科技宽禁带半导体研发中心落地

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 06 月 12 日 15:50 | 分类 碳化硅SiC | edit

6月6日，在东南大学建校121周年纪念日上，扬杰科技宣布与东南大学签署合作协议，组建“东南大学—扬杰科技宽禁带功率器件技术联合研发中心”。 基于此研发中心，双方将在功率半导体领域（尤其是宽禁带功率器件领域）进行深层次合作，开发世界级水平、具有自主知识产权的、符合市场与应用需求的功...  [详内文]

三菱电机成功开发基于新型结构的SiC-MOSFET

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 06 月 08 日 17:12 | 分类 碳化硅SiC | edit

三菱电机集团近日（2023年6月1日）宣布，其开发出一种集成SBD的SiC-MOSFET新型结构，并已将其应用于3.3kV全SiC功率模块——FMF800DC-66BEW，适用于铁路、电力系统等大型工业设备。 该新结构芯片有望帮助实现铁路牵引等电气系统的小型化和节能化，促进直流输...  [详内文]