SiC、GaN等第三代半导体产业前路如何？

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 05 月 16 日 17:17 | 分类 产业 | edit

关于第三代半导体的疑虑，这场研讨会都有答案。 第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，先天性能优越，是新能源汽车、5G、光伏等领域的“香饽饽”。然而，现实与理想之间尚有较大差距，我们对第三代半导体的发展仍存疑虑。 为进一步剖析第三代半导体的现...  [详内文]

15亿+19.2亿，鑫磊半导体接连签约两大项目

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 05 月 16 日 16:51 | 分类 产业 | edit

根据东乡县融媒体中心官方消息，5月14日，在浙江省杭州市举行的甘肃省重点产业招商推介会上，东乡县与杭州鑫磊半导体科技有限公司（以下简称：鑫磊半导体）签订了大尺寸集成电路金刚石基片生产基地项目投资协议。 该项目规划总投资15亿元，计划购置200套第四代半导体的研发、检测、分析、测试...  [详内文]

半导体材料领域或再添一家上市企业

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 15 日 17:40 | 分类 碳化硅SiC | edit

近日，中信证券披露了关于新磊半导体科技(苏州) 股份有限公司（简称：新磊科技）首次公开发行股票并上市辅导备案报告。 4月26日，中信证券股份有限公司与新磊半导体签订辅导协议； 4月27日，新磊半导体正式向中国证券监督管理委员会江苏监管局报送辅导备案申请材料并于2023年5月8日完...  [详内文]

【会议预告】华灿光电：GaN功率器件创新应用市场前景分析

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 15 日 17:40 | 分类 氮化镓GaN | edit

GaN功率器件具有良好的耐热性、导电性和散热性。与硅元件相比，GaN功率器件具有更高的电流密度和迁移率。 基于GaN功率器件的电能转换技术作为电力电子领域的核心技术之一，广泛应用于消费电子、数据中心等诸多领域，是推进电能高效利用的关键技术，也是节能减排的重要技术。 华灿光电十五年...  [详内文]

又一国产企业成功研制8英寸SiC衬底！

作者 chen, janice|发布日期 2023 年 05 月 15 日 17:30 | 分类 碳化硅SiC | edit

5月12日，杭州乾晶半导体有限公司（以下简称“乾晶半导体”）宣布，在大尺寸碳化硅单晶生长及其衬底制备方面取得突破：采用多段式电阻加热的物理气相传输（PVT）法生长了厚度达27mm的8英寸n型SiC单晶锭，并加工获得了8英寸SiC衬底片。 资料显示，乾晶半导体成立于2020年7月，...  [详内文]

10亿大功率蓝光半导体激光器项目落户武汉

作者 lin, lynn|发布日期 2023 年 05 月 15 日 16:49 | 分类 产业 | edit

根据“南光谷”5月13日消息，大功率蓝光半导体激光器产业化项目与江夏经济开发区、江夏科投集团于5月12日在湖北武汉举行签约仪式。 图源：南光谷 据介绍，该项目由武汉鑫威源电子科技有限公司（以下简称：鑫威源）投资10亿元打造，主要从事蓝光大功率光半导体激光器相关材料、芯片、封装等...  [详内文]

科友6/8英寸SiC规模化生产再进一步

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 12 日 17:50 | 分类 碳化硅SiC | edit

今日，科友半导体宣布其6/8英寸碳化硅规模化生产取得了重大技术突破。 公司自主研发出两种不同加热方式的PVT法晶体生长炉，完成了国产自主1至4代感应炉和1至3代电阻炉的研发，形成大尺寸低成本碳化硅产业化制备系列技术。 实现了6英寸碳化硅单晶衬底的规模生产和批量供货，8英寸碳化硅单...  [详内文]

这两个SiC设备厂获新突破

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 12 日 17:50 | 分类 碳化硅SiC | edit

近日，国产化合物半导体设备产业传来两个好消息：北京烁科中科信宣布特种离子注入机顺利交付，粤升半导体宣布成功研发SiC外延设备。 北京烁科中科信 今日，北京烁科中科信宣布不特种离子注入机顺利交付。就在4月，公司宣布北京总公司和长沙分公司实现12台离子注入机先后顺利交付，同比增长30...  [详内文]

开关损耗比SiC模块降低66%！三菱电机全新模块样品将出货

作者 chen, janice|发布日期 2023 年 05 月 12 日 17:30 | 分类 碳化硅SiC | edit

今年以来，海内外厂商活跃于各大电力电子相关的展会，并陆续发布了新的SiC技术、产品、解决方案或参考设计，技术水平和产品性能都进一步得到改善和升级。 其中，三菱电机开发了一款新型的SBD嵌入式的SiC MOSFET模块FMF800DC-66BEW，具备双型3.3kV耐受电压及6.0...  [详内文]

纳微半导体发布全新GeneSiC SiCPAK™模块

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 12 日 11:30 | 分类 氮化镓GaN | edit

近日，纳微半导体宣布其采用了全新SiCPAK™模块和裸片的领先碳化硅功率产品已扩展到更高功率市场，包括铁路、电动汽车、工业、太阳能、风能和能量储存等领域。 Source：纳微半导体 目标应用领域涵盖集中式和组串式太阳能逆变器、能量储存系统（ESS）、工业运动控制，电动汽车（EV...  [详内文]