三安碳化硅项目在内，2023年苏州市重点项目清单发布

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 20 日 18:59 | 分类碳化硅SiC

近日，《2023年苏州市重点项目清单》发布，苏州高新区共有49个项目（42个实施项目）列入，总投资1315亿元。苏州高新区发布消息，高新区入选的市重点项目涵盖电子信息、新能源、新能源汽车及智能汽车等战略性新兴产业。其中，产业项目33个，创新载体项目7个，基础设施项目5个。图... [详内文]

天域、广东光大等第三代半导体项目动工建设

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 20 日 10:02 | 分类碳化硅SiC

3月17日，广东东莞隆重举行2023年首批重大项目动工仪式，启动天域半导体、光大半导体、比亚迪汽车零部件等60个重大项目建设。 2023年首批动工重大项目中，天域半导体总部、生产制造中心和研发中心建设项目总投资80亿，建筑面积约24万平方米，将建设年产能120万片的碳化硅外延晶片... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 17 日 16:18 | 分类碳化硅SiC

3月15日，台湾汉磊集团董事长徐建华到访爱仕特进行交流。双方在以下方面达成重要合作，基于双方2022年已签署的LTA协议，汉磊将重点考虑满足爱仕特的代工产能需求；1700V和3300V SiC MOS的量产准备；共同合作开发SiC MOS trench工艺技术；共同合作开发Si... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 17 日 16:17 | 分类碳化硅SiC

第三代半导体包括碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），整体产值又以SiC占80%为重。据TrendForce集邦咨询研究统计，随着安森美、英飞凌等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。 Source：Tre... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 17 日 16:13 | 分类氮化镓GaN

3月6日，苏州声芯电子科技有限公司（以下简称：声芯电子）宣布完成五千万元A++轮融资。本轮融资由苏州人才基金二期、锦泰金鸿、源禾资本、江帆实业等共同投资，老股东东证资本追加投资，资金将主要用于南通及日照声表滤波器制造产线的产能扩建，达产后预计月产声表滤波器超过五千万颗。图片... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 17 日 10:22 | 分类氮化镓GaN , 碳化硅SiC

3月14日，为期三天的2023（春季）亚洲充电展在深圳正式开幕。现场展示和发布了数千款新品，覆盖电源芯片、功率器件、被动器件、新能源产品、消费类电源、智能化设备等领域。据TrendForce集邦咨询化合物半导体市场了解到，此次展会，英诺赛科、基本半导体、纳微半导体、芯塔电子、P... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 16 日 16:35 | 分类碳化硅SiC

三菱电机昨（14）日宣布，为响应快速增长的电动汽车SiC功率半导体需求，并扩大新应用市场，例如低能量损耗、高温运行或高速开关等，三菱电机将增产高效节能的碳化硅功率半导体。计划主要包含两部分，一方面是投资约1000亿日元，其中大部分将用于建设新的8英寸SiC晶圆厂，并加强相关生产... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 16 日 15:13 | 分类氮化镓GaN , 碳化硅SiC

3月15日，火炬工业集团与深圳爱科思达科技有限公司（以下简称“爱科思达”）在举行“智能电源设备研发制造基地项目”签约仪式。图片来源：中山火炬工业集团据悉，爱科思达建设打造的智能电源设备研发制造基地项目，拟投资8亿元，达产后预计新增产值超10亿元，税收超5000万元。项目建成... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 15 日 17:33 | 分类氮化镓GaN , 碳化硅SiC

半导体设备市场，又泛起了波澜。芯片制造实力被视为是未来全球半导体产业竞争的核心，而半导体设备作为芯片制造的关键，是近几年讨论的热门话题，尤其是随着美国对华制裁的推进，半导体设备领域更是被推上了风口浪尖。国际设备巨头相继开始弱化中国市场，以期减少美国的对华出口限制的沉重负担。与... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 14 日 17:22 | 分类氮化镓GaN

近日，罗姆（ROHM）宣布确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。 Source：罗姆近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在... [详内文]