9月23日,深圳平湖实验室对外公布第四代半导体研发进展,团队成功制备高性能金刚石肖特基势垒二极管(SBD)以及氢终端金刚石MOSFET功率器件,多项关键指标达到国内领先水平。
金刚石被视作超宽禁带半导体的核心材料,拥有极高击穿场强、载流子迁移率与导热能力,理论上适配高压、高温、高...  [详内文]
第四代半导体取得新进展,平湖实验室推出金刚石功率器件样品 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 09 月 28 日 10:15 | 分类 化合物半导体 |
