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英诺赛科出货量破亿
作者 |发布日期 2022 年 12 月 16 日 16:41 | 分类 氮化镓GaN
据外媒报道，英诺赛科透露，8英寸硅基GaN HEMT器件的出货量已突破1亿。 据化合物半导体市场了解，英诺赛科的8英寸晶圆产线自2019年开始大规模生产，并于2021年成为全球首家实现8英寸硅基GaN量产的企业，产能足以支撑全球市场对GaN FETs的强劲需求。2022年，英诺赛...  [详内文]

吉光半导体激光技术创新中心产线建设项目竣工
作者 |发布日期 2022 年 12 月 15 日 11:16 | 分类 碳化硅SiC
据报道，近日，吉光半导体激光技术创新中心产线建设项目如期竣工，洁净实验室厂房及动力配套系统投入使用，第一款产品实现量产出货。 “我们拥有国际先进的半导体激光芯片量产线及研发线，大部分工艺环节实现自动化，具备多款高速、高功率半导体激光芯片的产品化能力，可提供芯片流片及中试验证等创新...  [详内文]

8英寸碳化硅量产，加速中国台湾第三代化合物半导体发展
作者 |发布日期 2022 年 12 月 15 日 11:11 | 分类 碳化硅SiC
据中国台湾资策会产业情报研究所(MIC)于昨日举行《2023年台湾资通讯产业前景》记者会，会中公布2023产业十大前景趋势，随着净零转型、永续ESG重视性提升，资策会预测随着国际大厂于8吋碳化硅量产，将加速中国台湾第三代化合物半导体发展。 资策会MIC表示，国际大厂Wolfspe...  [详内文]

青铜剑第三代半导体产业基地顺利封顶
作者 |发布日期 2022 年 12 月 15 日 11:02 | 分类 碳化硅SiC
昨日，深圳青铜剑科技股份有限公司（以下简称“深圳青铜剑”）科技大厦顺利封顶。 青铜剑第三代半导体产业基地是深圳市年度重大项目，位于坪山区丹梓大道与光科三路交汇处西南角，占地逾8000平方米，总建筑面积近50000平方米。 该基地于2021年1月正式开工，将作为青铜剑科技集团总部，...  [详内文]

SiC MOSFET新动态：意法半导体上车起亚，罗姆用于日立
作者 |发布日期 2022 年 12 月 14 日 17:30 | 分类 碳化硅SiC
新能源电动汽车是碳化硅应用最火热的赛道，碳化硅应用在新能源汽车系统中，拥有显著提高电动汽车的行驶里程，节约动力电子设备冷却成本、减轻电动汽车自身的重量等诸多优势。 而在汽车电动化趋势下，碳化硅功率器件市场需求庞大。 目前SiC功率元件市场主要由欧美日IDM大厂掌控，关键供货商ST...  [详内文]

中国科大在氧化镓半导体器件领域取得新突破
作者 |发布日期 2022 年 12 月 13 日 17:17 | 分类 碳化硅SiC
近日，中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文（高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器）成功被IEDM大会接收，这也是中国科大首次以第一作者单位在IEEE IEDM上发表论文。 高功率氧化镓肖特基二极管 如何开发出有效的边缘终端结构，缓解肖特基...  [详内文]

东风汽车碳化硅功率模块将于明年实现量产装车
作者 |发布日期 2022 年 12 月 13 日 17:15 | 分类 碳化硅SiC
昨日，东风汽车宣布智新半导体碳化硅功率模块项目将于2023年实现量产装车。 同时，东风汽车与中国信科共建的汽车芯片联合实验室，正在推进车规级MCU芯片在汉落地，预计2024年实现量产；与中芯国际合作，已完成设计首款MCU芯片。 据悉，智新半导体成立于2019年6月，由东风公司与中...  [详内文]

Soitec新加坡晶圆厂扩建项目开工，年产200万片SOI晶圆
作者 |发布日期 2022 年 12 月 13 日 17:12 | 分类 碳化硅SiC
近日，法国Soitec宣布，在新加坡巴西立晶圆工业园区的晶圆厂扩建项目正式破土动工。 据悉，工厂扩建将致力于生产300mm SOI晶圆，这些晶圆用于生产智能手机芯片，尤其是5G通信，以及汽车和智能设备。扩建工程于2024年完工后，将使Soitec新加坡工厂的年产能翻一番，达到约2...  [详内文]

解决“进口”依赖，突破sic晶体长厚的关键材料是什么？
作者 |发布日期 2022 年 12 月 12 日 17:27 | 分类 碳化硅SiC
“一次传质”工艺是采用一次传质的新热场，传质效率提高且基本恒定，降低再结晶影响（避免二次传质），有效降低了微管或其它关联晶体缺陷。平衡气相组分，隔断微量杂质，调节局部温度，减少碳包裹等物理性颗粒，在满足晶体可用的前提下，晶体厚度大幅增加，是解决晶体长厚的核心技术之一。 恒普科技在...  [详内文]