近期,北京铭镓半导体有限公司(以下简称:铭镓半导体)使用导模法成功制备了高质量4英寸(001)主面氧化镓(β-Ga2O3)单晶,完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,并且进行了多次重复性实验,成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸(001)相单晶衬底生长技术的产业化公司。
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铭镓半导体在4英寸氧化镓晶圆衬底技术领域获突破 |
作者 huang, Mia|发布日期 2022 年 12 月 08 日 17:09 | 分类 氮化镓GaN |