近日,中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文(高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器)成功被IEDM大会接收,这也是中国科大首次以第一作者单位在IEEE IEDM上发表论文。
高功率氧化镓肖特基二极管
如何开发出有效的边缘终端结构,缓解肖特基...  [详内文]
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得新突破 |
作者 huang, Mia|发布日期 2022 年 12 月 13 日 17:17 | 分类 碳化硅SiC |