近日,致能半导体对外披露了其在蓝宝石衬底减薄技术方面的最新成果:该公司已将8英寸蓝宝石基氮化镓晶圆的衬底厚度成功减薄至50微米,据介绍,这一指标在行业内处于领先水平。
图片来源:致能半导体
致能8”蓝宝石上氮化镓晶圆,衬底厚度仅50µm
氮化镓材料因其高频率、高耐压等特性,在功...  [详内文]
突破散热瓶颈:蓝宝石上氮化镓衬底厚度降至50微米 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 04 月 02 日 15:34 | 分类 氮化镓GaN |
