东部高科加快GaN和SiC布局

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 30 日 17:40 | 分类功率

据韩媒ETnews消息，近日，韩国晶圆代工大厂东部高科（DB HiTek）聘请了一位来自安森美的功率半导体专家。业内人士透露，东部高科聘请了安森美半导体前技术开发高级总监Ali Salih，并让他负责氮化镓（GaN）工艺开发。 Salih是一位功率半导体工艺开发人员，拥有约20... [详内文]

晶升股份总部生产及研发中心项目封顶

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 29 日 13:51 | 分类企业

11月28日，晶升股份宣布，公司总部生产及研发中心项目完成封顶。晶升股份表示，“总部生产及研发中心建设项目”是在公司现有主营业务的基础上实施产能扩充，同时进行晶体生长设备和长晶工艺的技术研发与升级，加快研发成果产业化，助力公司拓宽产品线，从而更好地满足客户需求。作为一家专业从... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 29 日 13:45 | 分类企业

11月26日，据法国产业杂志新工厂（UsineNouvelle）报道，意法半导体（STMicroelectronics）继与美商格罗方德在法国东南部Crolles的75亿欧元（约588亿人民币）晶圆厂计划后，为平衡集团在意法两国布署，亦将于意大利西西里岛Catane投资50亿欧元... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 28 日 18:18 | 分类企业

路透社引述消息人士说法指出，丰田集团（Toyota）拟削减手中持有的供应商日本电装（Denso）股份，估计到年底前出售电装大约10%股份，以目前市价换算，售股价值约达7000亿日元（约47亿美元）。在9月底时，丰田大约手握电装24.2%的股份，在售股之后仍为电装大股东。匿名人... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 28 日 18:16 | 分类企业

牛津仪器 (Oxford Instruments) 宣布旗下用于GaN HEMT 器件生产的等离子原子层沉积（ALD）和原子层蚀刻（ALE）设备获得多家日本代工厂的大量订单。这些设备将支持高增长的GaN电力电子和射频市场，其中消费类快速充电和数据中心应用是GaN电力电子应用的最... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 28 日 17:45 | 分类企业

11月27日，中瓷电子在投资者互动平台表示，公司子公司博威集成电路扩建工程第三代半导体功率器件产业化项目已建成并投入使用，项目主要产品为氮化镓（GaN）通信基站射频芯片与器件等产品，产能规划为600万只/年。中瓷电子称，博威公司主营业务为氮化镓通信射频集成电路产品的设计、封装、... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 28 日 17:36 | 分类企业

11月23日，据塔斯社报道，俄罗斯RusKlimat贸易和生产控股集团新闻处发布消息称，一家中国公司计划投资25亿卢布（约合人民币2亿元）在俄罗斯弗拉基米尔州启动第三代功率半导体的批量生产，该项目最早将于2024年开始，分两个阶段实施。消息指出，该项目计划使用碳化硅（SiC）技... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 28 日 14:40 | 分类企业

英飞凌扩展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列近日，英飞凌宣布采用新的行业标准封装，以扩展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列。该款经过验证的62mm器件采用半桥拓扑设计，并基于最近推出的先进M1H碳化硅（SiC）M... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 27 日 17:50 | 分类企业

瑶光半导体激光退火设备顺利验收据瑶光半导体官微消息，近日，瑶光半导体激光退火设备顺利通过验收。该设备已在客户新产线投入生产使用，该产线计划年产一亿颗功率芯片和1万片6英寸SiC外延片，同时包括“10万片SiC外延片及JBS、MOSFET功率集成电路”。据官微介绍，瑶光半导体... [详内文]

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 11 月 27 日 17:35 | 分类功率

11月24日，致瞻科技第20000台碳化硅（SiC）电动压缩机控制器下线仪式在致瞻科技生产总部嘉善县姚庄镇数字化黑灯工厂举行，这标志着致瞻科技在车用空调热管理这一垂直细分行业产业化方面，取得了从0到1的突破。资料显示，致瞻科技聚焦于SiC半导体器件和先进电驱系统，拥有5000㎡... [详内文]