最新文章

威科赛乐可寻址VCSEL芯片获首批订单

作者 |发布日期 2024 年 04 月 15 日 17:46 | 分类 产业
4月12日,先导科技集团官方宣布,其旗下子公司威科赛乐所研发的可寻址VCSEL,在收到客户定制需求后,成功将完成衬底加工、外延生长,再到芯片工艺及测试交付的总周期控制在1个月之内,最终凭借高效交付能力以及超出预期的性能获得客户的充分肯定,现已取得小批量试产订单。 可寻址VCSE...  [详内文]

国内碳化硅外延片市场简析

作者 |发布日期 2024 年 04 月 15 日 9:24 | 分类 功率
随着电动汽车和新能源需求的持续扩大,碳化硅功率半导体元件在各领域的渗透率呈现持续攀升之势。对于碳化硅外延片环节,过去市场长期由Resonac、Wolfspeed等国际大厂主导,中国厂商瀚天天成与天域半导体历经10余年积累,终随新能源浪潮迎来业务高速增长期,近年来全球市场份额得以迅...  [详内文]

Q4营收超2022年全年,天岳先进2023年营收大涨199.90%

作者 |发布日期 2024 年 04 月 12 日 18:18 | 分类 碳化硅SiC
4月11日,天岳先进发布2023年年度报告。报告亮点颇多,彰显着天岳先进乃至整个碳化硅衬底行业的景气。 单季度营收超过去一整年,下半年净利润转正 年报显示,天岳先进在2023年共实现营业收入12.51亿元,较上年同期增加199.90%;实现归属于母公司所有者的净利润-4,572....  [详内文]

台亚半导体拟分拆8英寸GaN事业群,或将独立上市

作者 |发布日期 2024 年 04 月 12 日 18:18 | 分类 氮化镓GaN
自2023年英飞凌收购GaN Systems以来,氮化镓(GaN)领域的竞争格局便开始发生变化,在近一年多起出售、并购、倒闭案出现之后,市场动荡的局面达到了一个新的高点,并且目前仍在发酵中。近日,又有一家公司宣布拟调整GaN业务,但值得注意的是,此消息背后隐藏着积极的信号。 台亚...  [详内文]

扩产SiC,SK siltron在美获7700万美元补贴

作者 |发布日期 2024 年 04 月 12 日 18:00 | 分类 企业
据外媒报道,4月11日,韩国半导体晶圆制造商SK siltron宣布将从美国密歇根州政府获得7700万美元(约5.57亿人民币)的补贴,这笔资金包括投资补贴和税收优惠。 图片来源:拍信网正版图库 报道称,SK siltron正在扩建其位于美国密歇根州贝城的SiC晶圆工厂,由其美...  [详内文]

青禾晶元8英寸SiC键合衬底技术获突破

作者 |发布日期 2024 年 04 月 12 日 10:15 | 分类 碳化硅SiC
4月11日,青禾晶元官方宣布,公司近日通过技术创新,在SiC键合衬底的研发上取得重要进展,在国内率先成功制备了8英寸SiC键合衬底。 8英寸N型SiC复合衬底(source:青禾晶元) 青禾晶元介绍,对比6英寸SiC晶圆,8英寸SiC晶圆可用面积几乎增加一倍,芯片产出可增加80...  [详内文]

全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆发布

作者 |发布日期 2024 年 04 月 11 日 18:00 | 分类 产业
4月10日,在2024武汉九峰山论坛上,西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队与广东致能科技联合攻关,展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆。通过调控外延工艺,外延片不均匀性控制在4%以内,所制备的HEMTs器件的cp测试良率超过95%,击穿电压突破了2...  [详内文]

募资18亿,SiC设备相关厂商拉普拉斯IPO获批

作者 |发布日期 2024 年 04 月 11 日 18:00 | 分类 企业
4月9日,上交所官网披露,拉普拉斯新能源科技股份有限公司(以下简称拉普拉斯)首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请已在3月27日获批生效。 拉普拉斯此次IPO拟募资18亿元,募集资金主要用于光伏高端装备研发生产总部基地项目、半导体及光伏高端设备研发制造基地项目以及补充流动资金。...  [详内文]

Coherent获得1500万美元资助,发力碳化硅和单晶金刚石

作者 |发布日期 2024 年 04 月 11 日 17:55 | 分类 企业
4月10日,Coherent宣布,公司基于CHIPS法案获得1500万美元的资金,用于加速下一代宽带隙和超宽带隙半导体(分别为碳化硅和单晶金刚石)的商业化。 source:拍信网 据了解,该法案还为国防部 (DoD) 提供20亿美元(折合人民币约145亿元),用于加强和振兴美国...  [详内文]

加码SiC,华为申请晶体生长专利

作者 |发布日期 2024 年 04 月 10 日 18:20 | 分类 企业
天眼查资料显示,4月5日,华为技术有限公司公开一项“挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法”专利,申请公布号为CN117822097A,申请日期为2022年9月28日。 source:天眼查 该专利摘要显示,本申请实施例公开了一种挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方...  [详内文]