文章分类： 功率

Power Integrations推出史上最高电压GaN开关IC

作者 | 发布日期: 2023 年 11 月 01 日 18:11 |
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Power Integrations（PI） 近日发布了据称是世界上最高电压的单开关GaN电源 IC，采用1250V PowiGaN开关。 InnoSwitc3-EP 1250V IC是PI的InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列的最新成员。据悉，它具有同...  [详内文]

新微半导体推出新型GaAs pHEMT工艺平台

作者 | 发布日期: 2023 年 10 月 30 日 17:40 |
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上海新微半导体有限公司（下文简称“新微半导体”）于昨日（10/26）宣布基于6吋砷化镓（GaAs）晶圆材料的增强/耗尽型（Enhancement/Depletion Mode）pHEMT工艺平台(简称“PTA25工艺平台”)开发完成。 该平台凭借高电子迁移率、高增益、高功率和超低...  [详内文]

基本半导体推出新SiC MOSFET产品

作者 | 发布日期: 2023 年 10 月 30 日 17:36 |
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| 分类: 功率
在10月26-27日举办的2023基本创新日活动上，基本半导体正式发布了第二代碳化硅MOSFET芯片、汽车级及工业级碳化硅MOSFET功率模块、功率器件门极驱动器及驱动芯片等系列新品。 据介绍，基本半导体第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品...  [详内文]

东尼电子8英寸SiC衬底获小批量订单

作者 | 发布日期: 2023 年 10 月 27 日 17:33 |
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| 分类: 功率
东尼电子于昨日（10/26）在互动平台表示，公司8英寸SiC衬底处于研发验证阶段，已有小批量订单，将持续推进验证量产进程。 今年1月，东尼半导体与下游客户T签订了三年交付近百万片6英寸SiC衬底的《采购合同》。按照该协议，今年东尼半导体将向该客户交付6英寸SiC衬底13.50万片...  [详内文]

8英寸时代：国产SiC衬底如何升级？

作者 | 发布日期: 2023 年 10 月 27 日 17:30 |
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当下，新能源汽车、5G通讯、光伏、储能等下游领域迸射出的强烈需求，正驱动着碳化硅（SiC）产业在高速发展，与此同时多方纷纷加强研发力度，旨在突破技术壁垒，抢占市场先机。 其中，作为碳化硅突破瓶颈的重要工艺节点，8英寸SiC衬底成为各方抢攻的黄金赛道。 下一个拐点尺寸：8英寸SiC...  [详内文]

联合上汽/小鹏/宁王等，中芯集成成立SiC公司

作者 | 发布日期: 2023 年 10 月 26 日 17:34 |
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| 分类: 功率
今年8月31日，中芯国际关联公司——中芯集成宣布，拟与碳化硅（SiC）产业链上下游重要参与者、关联方共同设立控股子公司芯联动力科技（绍兴）有限公司（“芯联动力”），以优化公司在SiC等化合物半导体领域的布局。 10月25日晚间，中芯集成宣布芯联动力正式成立，注册资本5亿元，其中，...  [详内文]

投资10亿，正齐半导体SiC功率模块项目落户杭州

作者 | 发布日期: 2023 年 10 月 25 日 13:52 |
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10月19日，正齐半导体年产6万颗高阶功率模块研发生产项目在杭州开发区举行签约仪式。 正齐半导体（杭州）有限公司（下文简称“正齐半导体”）是马来西亚上市公司正齐集团在中国的子公司，主要从事功率模块、功率器件的研发和销售。 据悉，正齐半导体杭州项目将在开发区投资建设第三代半导体模块...  [详内文]

安森美的新SiC工厂完工

作者 | 发布日期: 2023 年 10 月 24 日 17:08 |
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| 分类: 功率
10月24日，安森美（onsemi）宣布，其位于韩国富川的先进SiC 超大型制造工厂的扩建工程已经完工。全负荷生产时，该晶圆厂每年将能生产超过一百万片 200 mm SiC晶圆。 新的 150 mm/200 mm SiC 先进生产线及高科技公用设施建筑于 2022 年中期开始建设...  [详内文]

投资20亿美元，世界先进将于新加坡建12英寸晶圆厂

作者 | 发布日期: 2023 年 10 月 24 日 13:43 |
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| 分类: 功率
据中国台湾经济日报报道，世界先进将投资约20亿美元在新加坡建立旗下首座12英寸晶圆厂，该厂生产的晶圆将用于制造车载芯片。若建厂计划顺利推行，这将会是世界先进近年来最大的一笔投资。 早在2019年，世界先进就以2.36亿美元收购格芯在新加坡建造的一座8英寸晶圆代工厂，用于各式传感器...  [详内文]

SiC企业凌锐半导体推出新一代1200V SiC MOS

作者 | 发布日期: 2023 年 10 月 20 日 18:48 |
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| 分类: 功率
10月18日，凌锐半导体（上海）有限公司（下文简称“凌锐半导体”）官方公众号发文宣布，凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。 据介绍，该产品具备开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动的特点，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。 ...  [详内文]