碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3... [详内文]
晶圆级立方SiC单晶生长取得突破 |
| 作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 02 月 22 日 17:51 | 分类 功率 |