9月12日,比亚迪股份有限公司获得“一种沟槽型半导体器件及其制造方法”专利授权,其授权公号为CN114122122B。
根据专利摘要可知,此发明属于电气元件领域,特别是涉及一种沟槽型半导体器件及其制造方法。
沟槽型半导体器件包括半导体基板、漏电极区、栅电极区、源电极区和绝缘栅介质...  [详内文]
比亚迪获得“一种沟槽型半导体器件及其制造方法”专利授权 |
作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 09 月 15 日 17:45 | 分类 企业 |