相关资讯：氮化镓

国内又一氮化镓项目新进展
作者 |发布日期 2025 年 07 月 29 日 16:05 | 分类 氮化镓GaN
凭借高频、高效、耐高压等特性，氮化镓在新一轮半导体革命浪潮中逐渐成为“宠儿”，吸引全球关注。我国氮化镓技术研发与产业化方面加速突围，近期国内氮化镓相关项目传出新进展。 “汶上县投资促进服务中心”消息，7月28日，山东汶上县举行氮化镓半导体智能制造项目暨芯片综合配套项目签约仪式。这...  [详内文]

国内氮化镓技术迎来新突破
作者 |发布日期 2025 年 07 月 23 日 16:16 | 分类 氮化镓GaN
“中国科学院微电子研究所”官微消息，中国科学院微电子研究所联合中国科学院半导体研究所、北京大学、香港科技大学、剑桥大学、武汉大学和苏州能讯高能半导体有限公司等，首次澄清了GaN异质外延中螺位错和刃位错对GaN基功率电子器件的关键可靠性-动态导通电阻退化的影...  [详内文]

氮化镓x机器人，中科半导体发布新品
作者 |发布日期 2025 年 07 月 22 日 15:01 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
7月21日，中科半导体宣布正式发布氮化镓机器人智能快充芯片。 据了解，本次发布的氮化镓（GaN）ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007与CT-1901）四个型号，通过“氮化镓ASIC芯片+GaN功率管”集成的差异设计，是为机器人定制化的快充专用芯片...  [详内文]

氮化镓光子晶体面发射激光器，成功研制！
作者 |发布日期 2025 年 07 月 18 日 14:48 | 分类 氮化镓GaN
据中国科学院苏州纳米所官微消息，依托中国科学院苏州纳米所建设的半导体显示材料与芯片重点实验室与苏州实验室合作，近日研制出GaN基光子晶体面发射激光器，并实现了室温电注入激射。 研究团队首先仿真设计了GaN基PCSEL器件结构，随后外延生长了高质量的GaN基激光器材料，并开发了低损...  [详内文]

广东致能：全球首发硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技术
作者 |发布日期 2025 年 07 月 16 日 13:56 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
“广东致能半导体有限公司”官微消息，近期，广东致能创始人黎子兰博士参加在瑞典举办的第十五届国际氮化物半导体会议（ICNS-15）并作邀请报告（Invited Talk）。报告分享了团队在硅基垂直氮化镓功率器件（GaN HEMT）技术上的原创性突破及应用前景。 广东致能团队全球首创...  [详内文]

英诺赛科宣布，产能再扩张！
作者 |发布日期 2025 年 07 月 15 日 13:47 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
英诺赛科（Innoscience）正通过产能拓展、技术创新及战略合作强化，持续巩固其市场地位。公司计划在未来五年内显著提升晶圆产能，同时推出新一代产品平台并积极布局车规级、AI服务器等高增长应用市场。 产能布局与技术路线：聚焦8英寸，展望12英寸 英诺赛科正加速其8英寸氮化镓晶圆...  [详内文]

新品爆发，英诺赛科/wolfspeed/英飞凌/罗姆等企业加速竞逐
作者 |发布日期 2025 年 07 月 08 日 14:05 | 分类 企业 , 半导体产业 , 氮化镓GaN
以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料持续推动功率电子和通信领域的技术革新。从新能源汽车到5G基站，从工业设备到消费电子，这些宽禁带材料正凭借高频、高效、高功率密度的特性重塑产业格局。 近期，第三代半导体领域迎来一轮新品爆发期，英诺赛科、Wolfspeed、...  [详内文]

英飞凌：12英寸GaN晶圆量产在即
作者 |发布日期 2025 年 07 月 04 日 14:34 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
7月3日，英飞凌在其官方网站宣布，其基于12英寸晶圆的可扩展氮化镓（GaN）制造技术已取得突破性进展。这一里程碑标志着GaN功率器件的大规模商业化生产迈出了关键一步，首批样品预计将于2025年第四季度交付客户。 图片来源：英飞凌官网截图 氮化镓作为新一代宽禁带半导体材料，以其卓...  [详内文]

新加坡成立氮化镓国家半导体转换和创新中心，2026年年中开启商业运营
作者 |发布日期 2025 年 07 月 02 日 14:41 | 分类 氮化镓GaN
近日，新加坡科学技术研究署（A*Star）成立的氮化镓国家半导体转换和创新中心（NSTIC（GaN））举行开幕仪式并正式启用，计划从2026年年中开始在本地提供商业生产代工服务。 半导体产业是现代科技的核心驱动力，氮化镓作为第三代半导体材料代表，具有高电子迁移率、高击穿电场、高热...  [详内文]