相关资讯:SiC碳化硅

SiC基础原料偷偷涨,6英寸衬底价格血战,谁是最后的赢家?

作者 |发布日期 2025 年 11 月 13 日 14:10 | 分类 碳化硅SiC
截至2025年11月,碳化硅市场正经历关键的价值重估与结构性分化。在价格端,低端大宗原料成本推升价格上涨,而主流6英寸衬底则因产能过剩而持续暴跌。但在应用端,SiC凭借其卓越散热性能,极有可能成为NVIDIA Rubin平台和台积电先进封装中AI芯片散热的战略性关键材料,预示Si...  [详内文]

功率半导体大厂:有望实现碳化硅业务盈利

作者 |发布日期 2025 年 11 月 12 日 13:50 | 分类 碳化硅SiC
近期,罗姆公布涵盖2026至2028财年的三年中期经营计划,并设定了2028财年的财务目标,包括营收超过5000亿日元、营业利润率超过20%以及净资产收益率(ROE)超过9%。 图片来源:罗姆 业务方面,罗姆将大幅拓展基于碳化硅的功率器件业务,同时缩减并淘汰不盈利的业务。应用领...  [详内文]

SiC赋能:Wolfspeed与禾望电气推风电变流器重大突破

作者 |发布日期 2025 年 11 月 11 日 14:37 | 分类 碳化硅SiC
近日,Wolfspeed与全球可再生能源解决方案创新者深圳市禾望电气股份有限公司 (以下简称“禾望电气,Hopewind”)达成合作。 此次合作的核心产品是Wolfspeed的2.3kV LM Pack模块。该模块为风电应用带来了显著的系统优势,包括简化系统设计、提高能效、增加功...  [详内文]

SDI/英飞凌战略结盟:共推AI与SiC/GaN导线架技术

作者 |发布日期 2025 年 11 月 10 日 14:36 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
导线架解决方案领导厂商顺德工业股份有限公司(以下简称“SDI”)于11月6日宣布,已与全球功率半导体巨擘德国英飞凌科技签署了产品优先开发权(Right of First Offer, ROFO)合作协议。这项战略合作协议旨在共同推进AI加速器所需的关键导线架技术开发,并携手布局包...  [详内文]

政策加码,河北聚焦碳化硅、氮化镓等领域

作者 |发布日期 2025 年 11 月 10 日 14:32 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近期,河北省工业和信息化厅发布《关于2025年第三代半导体、新型显示产业拟支持项目的公示》,重点聚焦碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等高端材料领域,通过财政补贴、产能扶持与产学研协同等方式,推动国内第三代半导体产业发展。 公示的名单中,涉及碳化硅/氮化镓领域的企业如下: 河北同...  [详内文]

环球晶宣布,12英寸碳化硅晶圆原型开发已成功

作者 |发布日期 2025 年 11 月 06 日 15:57 | 分类 碳化硅SiC
11月4日,环球晶(GlobalWafers)宣布,公司在核心技术研发上取得重大突破:其方形碳化硅(SiC)晶圆以及具有里程碑意义的12英寸碳化硅(SiC)晶圆的原型开发已成功完成,并已正式进入客户送样与验证阶段。 环球晶此次原型产品的成功,旨在迎合电动汽车(EV)、再生能源和高...  [详内文]

全球新增两座碳化硅晶圆厂,启动/加速投产

作者 |发布日期 2025 年 11 月 04 日 14:30 | 分类 碳化硅SiC
近日,全球碳化硅(SiC)功率半导体动态频频,国际大厂三菱电机位于日本熊本的8英寸SiC晶圆厂已正式竣工,预示着其试生产即将启动,同时也揭示了面对市场波动的弹性产能策略;与此同时,南亚市场亦迈出历史性一步,SiCSem在印度启动了该国首个端到端SiC制造设施的动工仪式。 01、三...  [详内文]

深圳、苏州两地相继取得SiC新突破

作者 |发布日期 2025 年 10 月 31 日 14:36 | 分类 碳化硅SiC
近期,国内第三代半导体领域捷报频传,深圳、苏州两地在核心技术与关键工艺上相继取得突破性进展:深圳平湖实验室联合高校团队研制出具备反向导电特性的新型SiC光控晶体管,为脉冲功率领域应用提供新方向;苏州则由科研机构与企业携手,在大尺寸碳化硅晶锭激光隐形切割技术上实现重大突破,进一步完...  [详内文]

碳化硅 “发力” 风电!禾望电气首发全SiC功率柜

作者 |发布日期 2025 年 10 月 31 日 14:33 | 分类 碳化硅SiC
近日,禾望电气全球首发了风电行业首款全碳化硅功率柜。 据介绍,该产品采用全碳化硅器件和高可靠性封装技术,实现38%的功率密度提升和高达6kHz的高开关频率,效率与可靠性倍增。该产品采用1140V/950V两电平拓扑架构,兼容1700V/2300V/3300V多电压规格器件,模块化...  [详内文]