相关资讯:SiC碳化硅

半导体大厂谈8英寸碳化硅发展

作者 |发布日期 2025 年 04 月 10 日 13:50 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
过去一年,碳化硅在工艺技术和生产效率方面取得了重大进展,全球8英寸碳化硅晶圆已进入技术成熟与规模应用阶段。 近期,意法半导体意法半导体中国区-功率分立和模拟产品器件部-市场及应用副总裁Francesco MUGGERI对外谈及了8英寸碳化硅未来发展。 Francesco表示,迈向...  [详内文]

全球外延晶片龙头,申请赴港IPO

作者 |发布日期 2025 年 04 月 09 日 16:09 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
4月8日,瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司(以下简称“瀚天天成”)正式向港交所递交上市申请,拟主板挂牌上市,中金公司担任独家保荐人。 招股书显示,瀚天天成成立于2011年,在全球率先实现8英寸碳化硅外延晶片大批量外供,也是国内首家实现商业化3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片...  [详内文]

士兰微SiC项目新进展,6/8英寸双线作战

作者 |发布日期 2025 年 04 月 09 日 16:04 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
4月8日,士兰微发布公告,披露了士兰微碳化硅(SiC)项目的最新进展。在SiC芯片技术研发与量产方面均取得显著成果,产能建设与技术突破齐头并进。 source:士兰微 “士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线”项目:产能释放 截至目前,士兰明镓已形成月产9,000片6吋SiC ...  [详内文]

三家碳化硅相关公司高层发生变动!

作者 |发布日期 2025 年 04 月 08 日 17:25 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近期,三家碳化硅相关领域公司华润微、气派科技、华光新材迎来了一系列高层及核心技术人员的变动,其中华润微总裁李虹离职,该公司表示离职不会对公司现有研发项目的进展产生任何影响。此外,三家公司均在碳化硅领域有最新进展。 01 华润微:总裁李虹离职,碳化硅业务持续拓展 华润微电子有限公司...  [详内文]

鲁晶半导体与山东大学深化碳化硅功率器件合作

作者 |发布日期 2025 年 04 月 08 日 17:17 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
据鲁晶芯城消息,4月2日,鲁晶半导体技术团队与山东大学新一代半导体材料研究院双方达成深化合作协议,计划联合申报国家级科研项目,共建实验室,并推动技术标准制定。 source:鲁晶芯城 据悉,鲁晶半导体将依托山东大学新一代材料研究院平台及人才资源,强化技术研发能力;山东大学借助企...  [详内文]

业界:碳化硅将为增程汽车提供关键支撑

作者 |发布日期 2025 年 04 月 08 日 17:02 | 分类 产业 , 碳化硅SiC
近期,深蓝汽车动力平台中心总经理杜长虹发表了关于新能源增程技术观点。 杜长虹表示,随着电动汽车市场进入成熟阶段,消费者对产品的要求愈发严格,增程技术凭借其独特优势,能够全面满足用户需求,展现出广阔的发展潜力,其中,碳化硅技术的应用将为增程系统的高效化提供关键支撑。 据悉,在动电池...  [详内文]

三安光电谈碳化硅产线与市场前景

作者 |发布日期 2025 年 04 月 08 日 17:01 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近期,三安光电在投资者互动平台回答了碳化硅产线、供货与市场前景等问题。 有投资者在互动平台向三安光电提问:湖南三安6寸碳化硅产能一直是1.6万片每月,规划产能不是32万片每年吗?是公司不在6寸产品这投入设备还是公司只能销售这么多的产品? 三安光电回复表示,公司综合考虑市场需求与客...  [详内文]

珠海重点建设项目清单出炉,涉及碳化硅、砷化镓

作者 |发布日期 2025 年 04 月 08 日 17:00 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日,珠海市发展改革局发布2025年重点建设项目计划清单。在项目计划清单中,近40个半导体相关项目上榜,涉及以下化合物半导体领域: 1、珠海华芯微电子砷化镓半导体晶圆生产线项目 2023年3月,格力金投与中芯聚源联合领投华芯半导体,推动华芯(珠海)半导体砷化镓总部研产基地项目落户...  [详内文]

金威源与杰平方正式签署碳化硅战略合作

作者 |发布日期 2025 年 04 月 03 日 18:23 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近日,深圳市金威源科技股份有限公司与杰平方半导体(上海)有限公司正式签订碳化硅战略合作协议,双方企业负责人及相关人员出席了签约仪式。 source:杰平方半导体 双方一致认为,当前,国内新能源汽车市场发展势头迅猛,碳化硅作为新能源汽车的关键器件,市场需求持续攀升。预计到20...  [详内文]

电科装备介绍大尺寸SiC衬底制备整线解决方案

作者 |发布日期 2025 年 04 月 03 日 18:06 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
SEMICON China 2025期间,中国电科第二研究所胡北辰博士代表电科装备作“大尺寸SiC衬底制备整线解决方案”的专题报告。 source:中国电科 胡北辰博士指出,SiC单晶生长与切磨抛加工是第三代半导体器件成本降低、良率提升的重要工艺环节。针对这一重点问题,2所以“...  [详内文]