GaN射频高增、SiC盈利承压，国内三代半企业“冰火两重天”！

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 04 月 30 日 14:41 | 分类 化合物半导体 | edit

2026年一季度，国内第三代半导体（碳化硅SiC/氮化镓GaN）产业呈现 “冰火两重天” 格局。受益于5G基站建设与新能源汽车车载电源（OBC）需求爆发，GaN射频企业业绩高增；而SiC功率赛道受价格战、产能爬坡折旧压力影响，多数企业利润承压。 图片来源：集邦化合物半导体制图 G...  [详内文]

至信微发布650V碳化硅JFET，切入快充与数据中心电源市场

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 04 月 29 日 15:40 | 分类 碳化硅SiC | edit

继年初发布1200V JFET产品后，至信微近日推出了第二款量产级碳化硅JFET器件——650V 140mΩ SiC JFET。 该产品具备650V耐压和低导通电阻，利用JFET特有的高速开关能力，可降低系统导通损耗，提升能效。供货方式上，至信微提供两种选择：一是晶圆销售，支持客...  [详内文]

方正微电子车规级SiC MOSFET出货破3000万颗

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 04 月 29 日 15:35 | 分类 碳化硅SiC | edit

4月26日，深圳方正微电子有限公司（简称：“方正微电子”）宣布其车规级碳化硅（SiC）MOSFET芯片累计出货量突破3000万颗，并同步推出全新一代车规级SiC MOSFET——G3新平台系列产品。 图片来源：方正微电子 碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，主要应用于新能...  [详内文]

化合物半导体厂商净利暴增1153.07%，大功率光芯片持续放量

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 04 月 29 日 15:31 | 分类 化合物半导体 | edit

2026年4月27日晚间，化合物半导体IDM厂商源杰科技发布2026年第一季度报告。 报告显示，一季度公司实现营业收入3.55亿元，同比大幅增长320.94%；归母净利润达1.79亿元，同比激增1153.07%。业绩增长主要受益于数据中心领域大功率CW光源产品的需求攀升，叠加高毛...  [详内文]

韩国：今年启动8英寸化合物功率半导体晶圆厂基础设施建设

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 04 月 28 日 15:59 | 分类 产业 | edit

据韩媒《ETNEWS》近日报道，为改变本国功率半导体市场90%~95%依赖进口的现状，韩国政府计划投入5000亿韩元，全力支持化合物功率半导体产业的发展。 根据政府公布的路线图，韩国将在今年启动8英寸（200mm）化合物功率半导体晶圆厂的基础设施建设，目标是到2027年量产120...  [详内文]

立昂微2026年一季报：营收增长超两成，归母净利润成功扭亏

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 04 月 28 日 15:56 | 分类 企业 | edit

4月27日，立昂微发布2026年第一季度报告。在半导体行业持续复苏的背景下，公司营业收入实现稳步增长，盈利能力显著改善。 报告显示，2026年第一季度，立昂微实现营业收入9.99亿元，同比增长21.8%。归母净利润由去年同期亏损8104万元成功扭亏为盈，达到722万元；扣非归母净...  [详内文]

国内第三代半导体项目密集推进，多领域迎来新进展

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 04 月 28 日 15:53 | 分类 产业 , 企业 | edit

近期，国内第三代半导体领域多个项目迎来新进展。从京津冀到粤港澳，从碳化硅、氮化镓到磷化铟，多个重点项目签约落地、产能提速、产学研联动深化，覆盖材料、装备、器件全产业链。 1、北京晶坤签约天津，碳化硅基地落户 4月24日，北京晶坤新材料有限公司与天津宝坻京津中关村科技城管委会正式签...  [详内文]

安森美与蔚来深化战略合作

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 04 月 27 日 14:58 | 分类 企业 | edit

4月26日，安森美正式宣布与蔚来汽车进一步深化战略合作，双方将共同推动下一代电动汽车平台的发展。 在多年合作的基础上，双方将实现更紧密的协同，安森美将提供其最新的EliteSiC M3e技术，助力蔚来加速从400V架构向900V架构的过渡。 据介绍，安森美的EliteSiC增强型...  [详内文]

盛美上海首台PECVD SiCN设备出机

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 04 月 27 日 14:55 | 分类 企业 | edit

2026年4月27日，盛美半导体设备（上海）股份有限公司（简称“盛美上海”）正式宣布，公司自主研发的首台等离子体增强化学气相沉积（PECVD）碳氮化硅（SiCN）设备成功完成组装调试并顺利出机，将用于55纳米及以下高端集成电路后段金属互联工艺。 图片来源：盛美上海 该设备为30...  [详内文]

2.06亿元，功率半导体领域再现一起收购案

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 04 月 27 日 14:50 | 分类 功率 | edit

近日，科创板上市公司华兴源创发布公告，拟以现金2.0616亿元收购武汉普赛斯电子股份有限公司（简称“普赛斯”）39%股权。交易完成后，华兴源创对普赛斯的持股比例将从12%升至51%，实现控股并将其纳入合并报表范围。 图片来源：华兴源创公告截图 本次交易已通过#华兴源创 董事会审...  [详内文]