据西安电子科技大学官方消息,近日,郝跃院士张进成教授团队的最新研究在这一核心难题上实现了历史性跨越——他们通过将材料间的“岛状”连接转化为原子级平整的“薄膜”,使芯片的散热效率与综合性能获得了飞跃性提升。
这个问题自2014年相关成核技术获得诺贝尔奖以来,一直未能彻底解决,成为制...  [详内文]
西电团队再次取得氮化镓散热突破 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 01 月 21 日 15:02 | 分类 氮化镓GaN |
