最新文章

日本巨头追加投资33亿日元，InP衬底产能激增50%
作者 |发布日期 2025 年 10 月 17 日 14:26 | 分类 企业 , 磷化铟
日本半导体材料巨头JX先进金属公司（JXAdvancedMetalsCorp.，以下简称“JX金属”）近日宣布，将对旗下矶原工厂的磷化铟（InP）衬底生产设施进行追加资本投资。 图片来源：JX官网新闻稿截图 此轮追加投资额与该公司7月份宣布的投资合并计算，总投资额约达33亿日元...  [详内文]

又有两家碳化硅厂商完成A+轮融资
作者 |发布日期 2025 年 10 月 17 日 14:20 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
在碳化硅市场前景广阔、政策大力扶持以及国内厂商技术不断突破的当下，资本对国内碳化硅厂商的关注度与投资热情持续高涨。近期，又有两家国内碳化硅厂商——卓远半导体与科友半导体顺利完成A+轮融资。 1、卓远半导体：提速SiC研发与产能 近期，卓远半导体完成A+轮融资交割，此次投资方为湖北...  [详内文]

与中国厂商抗衡？罗姆将加速开发碳化硅产品
作者 |发布日期 2025 年 10 月 17 日 10:43 | 分类 碳化硅SiC
日经BP消息，罗姆取缔役兼常务执行董事、功率元器、件业务负责人伊野和英向外透露，罗姆正倍速开发碳化硅半导体产品，以增强竞争力，等待需求复苏。 产品进展上，罗姆计划从第5代开始生产口径8英寸（约200毫米）的SiC基板，第6代产品的生产计划从2027年启动。罗姆将同时推进第7代、第...  [详内文]

垂直GaN新秀获1100万美元融资
作者 |发布日期 2025 年 10 月 17 日 10:40 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
硅谷AI硬件基础设施迎来一家极具潜力的初创公司。由麻省理工学院（MIT）分拆成立的Vertical Semiconductor Inc.（以下简称“Vertical”）10月15日宣布，已成功完成1100万美元种子轮融资。本轮融资由知名风投机构Playground Global领...  [详内文]

头部SiC企业二次递表港交所
作者 |发布日期 2025 年 10 月 17 日 10:32 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近日，港交所官网披露了瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司(以下简称“瀚天天成”)在港交所提交的上市申请，公司上市材料被正式受理，独家保荐人为中金公司。 图片来源：瀚天天成上市申请书截图 资料显示，瀚天天成成立于2011年，由碳化硅行业知名科学家赵建辉博士创立，是全球碳化硅外延...  [详内文]

镓仁半导体实现6英寸氧化镓同质外延生长
作者 |发布日期 2025 年 10 月 16 日 18:27 | 分类 氧化镓
近日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）宣布在氧化镓同质外延技术上取得重大突破，成功实现了高质量6英寸氧化镓同质外延生长。 此次镓仁半导体 的6英寸氧化镓同质外延片表现优异。外延层厚度超过10微米，厚度均匀性优异，方差σ小于1%。高分辨XRD摇摆曲线半高宽小于40弧...  [详内文]

功率半导体大厂谈氮化镓前景
作者 |发布日期 2025 年 10 月 16 日 18:27 | 分类 氮化镓GaN
10月13日，瑞萨电子官微发文，介绍了瑞萨及其GaN（氮化镓）技术发展征程，氮化镓应用情况，以及未来氮化镓面临的挑战与机会。 2024年瑞萨电子收购GaN领域的先驱企业Transphorm，进而完成了布局氮化镓的关键一步。此次收购，瑞萨获得了Transphorm的GaN知识产权、...  [详内文]

国产12英寸SiC再传捷报
作者 |发布日期 2025 年 10 月 16 日 18:27 | 分类 碳化硅SiC
近日，天成半导体官微宣布，依托自主研发的12英寸碳化硅长晶设备成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料，12英寸N型碳化硅单晶材料晶体 有效厚度突破35mm厚。 据悉，天成半导体现已掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长双成熟工艺，且自研的长晶设备可产出直径达到350mm的单晶材...  [详内文]

全碳化硅充电系统落地湖南，最快1秒1公里
作者 |发布日期 2025 年 10 月 14 日 18:00 | 分类 碳化硅SiC
近日，国网湖南电科院“全碳化硅构网型10千伏直挂超级充电系统”通过国家能源局能源领域首台（套）重大技术装备评审，并在湖南湘江新区一处超级充电站试运行，充电速度最快达1秒1公里。 该超级充电站配备了6个充电桩和11把充电枪，可同时满足11辆车的充放电需求。其充电速度极快，最快可达1...  [详内文]