当地时间5月21日,纳微半导体宣布与英伟达达成战略合作,共同开发基于氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)技术的800V高压直流(HVDC)电源架构,该技术将率先应用于英伟达下一代AI数据中心及Rubin Ultra计算平台。
图片来源:纳微半导体
当前数据中心普遍采用54V低压配...  [详内文]
英伟达携手纳微升级电源架构,氮化镓和碳化硅发挥核心作用 |
作者 KikiWang | 发布日期: 2025 年 05 月 23 日 16:31 | | 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC |