文章分类: 企业

营收286亿,英飞凌发布2024财年Q1财报

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 19 日 11:43 |
| 分类: 企业
2月6日,英飞凌发布2024财年第一季度财报。 报告显示,英飞凌2024财年第一季度营收37亿欧元(折合人民币约286亿元),未达到此前38亿欧元的预期,与上一季度的41.49亿欧元(折合人民币约321亿元)相比,下降了11%。公司旗下的四个部门的营收都低于上一季度。 sour...  [详内文]

国星光电、华为公布新专利,涉及氮化镓等

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 18 日 14:35 | | 分类: 企业
天眼查官网显示,2月9日,国星光电、华为分别公布了新的专利。其中,国星光电申请一项名为“一种氮化镓器件驱动芯片及驱动方法“的专利,而华为则申请了一项名为“光无源模组、光模块以及通信设备“的专利。 国星光电申请氮化镓器件驱动芯片及驱动方法专利 国星光电“一种氮化镓器件驱动芯片及驱...  [详内文]

聚焦SiC芯片,芯联动力与南瑞半导体深化合作

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 06 日 17:50 | | 分类: 企业
2月6日,芯联集成(原“中芯集成”)发官微称,其下属子公司芯联动力科技(绍兴)有限公司(下文简称“芯联动力”)与国电南瑞控股子公司南京南瑞半导体有限公司(下文简称“南瑞半导体”)的签约仪式在南京举行。 芯联集成CEO赵奇、南瑞半导体董事长陈英毅代表双方签约 根据协议,两家公司将...  [详内文]

SiC设备相关厂商晶亦精微今日上会

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 05 日 18:18 |
| 分类: 企业
上交所信息显示,2月5日,北京晶亦精微科技股份有限公司(以下简称:晶亦精微)首发上会,未来将在科创板上市,保荐人为中信证券股份有限公司。 晶亦精微成立于2019年9月23日,公司控股股东是中电科四十五所,实际控制人为中国电科集团。晶亦精微主营半导体设备的研发、生产、销售及技术服务...  [详内文]

新洁能成立新半导体公司

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 05 日 17:50 |
| 分类: 企业
据企查查显示,近日,无锡金兰华清半导体合伙企业(有限合伙)成立,注册资本为5000万元,无锡新洁能股份有限公司(下文简称“新洁能”)为该公司执行事务合伙人,持有该公司63.6%股份。 资料显示,无锡金兰华清半导体合伙企业(有限合伙)经营范围包括:半导体分立器件制造。 图片来源:...  [详内文]

美国材料龙头高意亚太总部进驻福建晋安

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 05 日 17:47 |
| 分类: 企业
据集邦化合物半导体了解,福建省投资项目在线审批监管平台近日公布了美国化合物半导体材料头部厂商II VI(高意集团,现为Coherent)亚太销售总部项目的进展。 平台信息显示,“高意亚太销售总部”于2024年2月4日取得县级权限内企业境内投资项目备案,项目单位是福州高意技术有限公...  [详内文]

国内氧化镓公司晶旭半导体获亿元投资

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 04 日 18:10 | | 分类: 企业
2月3日, 睿悦投资官微发文称,睿悦投资与福建晶旭半导体科技有限公司(下文简称“晶旭半导体”)签署战略投资协议。 据悉,此次睿悦投资作为晶旭半导体的独家战略投资人,对晶旭半导体战略投资亿元人民币,助力其实现年产75万片氧化镓外延片、12亿颗滤波器芯片的落成达产。 公开资料显示,福...  [详内文]

绿能芯创1200V 20mΩ SiC MOSFET首轮流片成功

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 04 日 18:00 |
| 分类: 企业
2月2日,淄博绿能芯创电子科技有限公司(以下简称淄博绿能芯创)官微发布消息称,西安A客户使用淄博绿能芯创6英寸碳化硅(SiC)1200V MOSFET代工制造平台,2种不同设计的1200V 20mΩ MOSFET首轮流片成功。 图片来源:拍信网正版图库 据介绍,客户此次流片,使...  [详内文]

约19亿,3个SiC相关项目取得新进展

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 04 日 18:00 | | 分类: 企业
近日,嘉兴国家高新区SiC半桥模块制造项目、臻驱科技SiC功率模块项目、三优光电产业园等3个SiC相关项目取得了新进展。 图片来源:拍信网正版图库 投资10亿,晶能微电子SiC项目签约 2月1日,嘉兴国家高新区SiC半桥模块制造项目签约仪式举行。该项目由浙江晶能微电子有限公司(...  [详内文]

重庆三安半导体SiC衬底项目B1栋封顶

作者 | 发布日期: 2024 年 02 月 02 日 18:00 |
| 分类: 企业
近日,重庆三安半导体碳化硅(SiC)衬底项目B1栋顺利封顶。此项目总体分为两个项目标段,总面积约5.8万㎡,项目于2023年11月15日正式进场施工。 图片来源:拍信网正版图库 其中,重庆三安半导体SiC衬底项目(生活服务设施区)总建筑面积为2.08万㎡,包括B1、B2栋、B3...  [详内文]