文章分类： 氮化镓GaN

国产射频新篇章，欧益睿芯6英寸GaN工艺平台开放

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:39 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
随着5G/6G通信、雷达系统、卫星互连等高频高功率应用场景的快速发展，碳化硅衬底氮化镓（GaN on SiC）技术已成为全球半导体产业的竞争焦点。在国际厂商主导的市场格局下，国内产业链的自主化进程对高可靠性、高性能、低成本的本土工艺平台需求日益迫切。 近日，合肥欧益睿芯科技有限公...  [详内文]

英国这家初创公司，凭两大新专利进军GaN与SiC市场

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:01 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
随着宽禁带半导体领域部分核心专利陆续到期，一场技术创新的浪潮正悄然兴起。英国初创公司#栅源漏半导体（Gate Source Drain Semiconductor Ltd）抓住这一历史机遇，正专注于研发新一代的专利保护型宽禁带半导体材料与器件。该公司计划在未来2-3年内，推出垂直...  [详内文]

纳微半导体透露碳化硅、氮化镓业务进展

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 06 日 14:12 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近期，纳微半导体公布2025年第二季度财报，同时该公司在财报会议中透露了碳化硅与氮化镓业务进展。 图片来源：纳微半导体官网新闻稿截图 据悉，英伟达已经与纳微半导体进行开发合作，以支持下一代 800V 数据中心。纳微半导体将在固态变压器（SST）、800V DC/DC以及48V...  [详内文]

月产2亿颗芯片，SiC/GaN封装工厂正式投产

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 04 日 14:25 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
据滨海发布消息，8月1日，伯芯微电子（天津）有限公司（简称“伯芯微电子”）在天津经开区微电子创新产业园正式投产。 图片来源：滨海发布 根据预测，该项目达产后，预计月封装芯片产能在2亿颗以上，年收入将达到2亿元以上。 公开资料显示，伯芯微电子成立于2022年，由中科院微电子研究所...  [详内文]

英诺赛科登榜，英伟达最新800V架构供应商名单！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 01 日 14:07 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
8月1日，英伟达官网更新800V直流电源架构合作商名录，氮化镓龙头企业英诺赛科上榜，为英伟达Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案，这也是名单中唯一的中国芯片企业。 据悉，英伟达与英诺赛科此次合作将推动800V直流（800 VDC）电源架构在AI数据中心的规模化应用，并将...  [详内文]

三代半电力领域“大显身手”，安森美x英伟达、英诺赛科x联合电子、浩思动力加速布局

作者 | 发布日期: 2025 年 07 月 31 日 14:53 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
在全球能源转型与科技升级的浪潮下，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体技术凭借高功率密度、低能耗、小体积等卓越特性，正成为驱动各行业能效提升与技术革新的核心引擎，在AI数据中心供电、新能源汽车电力电子系统等关键领域展现出巨大的应用价值，推动着相关产业向更高效、更绿色的方向迈进。 ...  [详内文]

国内又一氮化镓项目新进展

作者 | 发布日期: 2025 年 07 月 29 日 16:05 |
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| 分类: 氮化镓GaN
凭借高频、高效、耐高压等特性，氮化镓在新一轮半导体革命浪潮中逐渐成为“宠儿”，吸引全球关注。我国氮化镓技术研发与产业化方面加速突围，近期国内氮化镓相关项目传出新进展。 “汶上县投资促进服务中心”消息，7月28日，山东汶上县举行氮化镓半导体智能制造项目暨芯片综合配套项目签约仪式。这...  [详内文]

国内氮化镓技术迎来新突破

作者 | 发布日期: 2025 年 07 月 23 日 16:16 |
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| 分类: 氮化镓GaN
“中国科学院微电子研究所”官微消息，中国科学院微电子研究所联合中国科学院半导体研究所、北京大学、香港科技大学、剑桥大学、武汉大学和苏州能讯高能半导体有限公司等，首次澄清了GaN异质外延中螺位错和刃位错对GaN基功率电子器件的关键可靠性-动态导通电阻退化的影...  [详内文]

氮化镓x机器人，中科半导体发布新品

作者 | 发布日期: 2025 年 07 月 22 日 15:01 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
7月21日，中科半导体宣布正式发布氮化镓机器人智能快充芯片。 据了解，本次发布的氮化镓（GaN）ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007与CT-1901）四个型号，通过“氮化镓ASIC芯片+GaN功率管”集成的差异设计，是为机器人定制化的快充专用芯片...  [详内文]

氮化镓光子晶体面发射激光器，成功研制！

作者 | 发布日期: 2025 年 07 月 18 日 14:48 |
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| 分类: 氮化镓GaN
据中国科学院苏州纳米所官微消息，依托中国科学院苏州纳米所建设的半导体显示材料与芯片重点实验室与苏州实验室合作，近日研制出GaN基光子晶体面发射激光器，并实现了室温电注入激射。 研究团队首先仿真设计了GaN基PCSEL器件结构，随后外延生长了高质量的GaN基激光器材料，并开发了低损...  [详内文]