文章分类： 氮化镓GaN

深圳在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 12 日 13:49 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
“深圳国资”官微消息，近期由市属国企深重投集团与深圳市科技创新局联合打造的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（以下简称“国创中心”）在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展。 国创中心首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延。这一成果...  [详内文]

Wolfspeed、英诺赛科动态，涉及碳化硅、氮化镓新品

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 17:05 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
第三代半导体领域，Wolfspeed与英诺赛科近日推出创新产品——Wolfspeed发布第四代1200V车规级碳化硅MOSFET，英诺赛科推出全球首款100V氮化镓低边驱动IC，双双发力，为新能源汽车动力系统与电池管理生态注入新动能。 1、Wolfspeed推出第四代1200V车...  [详内文]

国际首次突破！深圳平湖实验室攻克GaN/SiC单片集成技术瓶颈

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:52 |
关键字: ,
| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
8月7日，深圳平湖实验室官微宣布，深圳平湖实验室近日在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延。 据了解，该成果打破了大尺寸GaN与SiC材料单片集成的技术瓶颈，为GaN/SiC混合器件的发...  [详内文]

中芯国际：未来将配合建立SiC、GaN等第三代半导体产能

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:42 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
8月7日，中芯国际联合CEO赵海军在业绩会上表示，公司未来将根据国际客户的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓）等第三代半导体产能。 这一战略举措标志着中芯国际在第三代半导体领域的进一步拓展，旨在满足国内市场对高端半导体产品的需求，...  [详内文]

国产射频新篇章，欧益睿芯6英寸GaN工艺平台开放

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:39 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
随着5G/6G通信、雷达系统、卫星互连等高频高功率应用场景的快速发展，碳化硅衬底氮化镓（GaN on SiC）技术已成为全球半导体产业的竞争焦点。在国际厂商主导的市场格局下，国内产业链的自主化进程对高可靠性、高性能、低成本的本土工艺平台需求日益迫切。 近日，合肥欧益睿芯科技有限公...  [详内文]

英国这家初创公司，凭两大新专利进军GaN与SiC市场

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:01 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
随着宽禁带半导体领域部分核心专利陆续到期，一场技术创新的浪潮正悄然兴起。英国初创公司#栅源漏半导体（Gate Source Drain Semiconductor Ltd）抓住这一历史机遇，正专注于研发新一代的专利保护型宽禁带半导体材料与器件。该公司计划在未来2-3年内，推出垂直...  [详内文]

纳微半导体透露碳化硅、氮化镓业务进展

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 06 日 14:12 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近期，纳微半导体公布2025年第二季度财报，同时该公司在财报会议中透露了碳化硅与氮化镓业务进展。 图片来源：纳微半导体官网新闻稿截图 据悉，英伟达已经与纳微半导体进行开发合作，以支持下一代 800V 数据中心。纳微半导体将在固态变压器（SST）、800V DC/DC以及48V...  [详内文]

月产2亿颗芯片，SiC/GaN封装工厂正式投产

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 04 日 14:25 |
关键字: ,
| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
据滨海发布消息，8月1日，伯芯微电子（天津）有限公司（简称“伯芯微电子”）在天津经开区微电子创新产业园正式投产。 图片来源：滨海发布 根据预测，该项目达产后，预计月封装芯片产能在2亿颗以上，年收入将达到2亿元以上。 公开资料显示，伯芯微电子成立于2022年，由中科院微电子研究所...  [详内文]

英诺赛科登榜，英伟达最新800V架构供应商名单！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 01 日 14:07 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
8月1日，英伟达官网更新800V直流电源架构合作商名录，氮化镓龙头企业英诺赛科上榜，为英伟达Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案，这也是名单中唯一的中国芯片企业。 据悉，英伟达与英诺赛科此次合作将推动800V直流（800 VDC）电源架构在AI数据中心的规模化应用，并将...  [详内文]

三代半电力领域“大显身手”，安森美x英伟达、英诺赛科x联合电子、浩思动力加速布局

作者 | 发布日期: 2025 年 07 月 31 日 14:53 |
关键字:
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
在全球能源转型与科技升级的浪潮下，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体技术凭借高功率密度、低能耗、小体积等卓越特性，正成为驱动各行业能效提升与技术革新的核心引擎，在AI数据中心供电、新能源汽车电力电子系统等关键领域展现出巨大的应用价值，推动着相关产业向更高效、更绿色的方向迈进。 ...  [详内文]