文章分类： 氮化镓GaN

格芯/英伟达两大半导体巨头“瞄准”氮化镓

作者 | 发布日期: 2025 年 11 月 11 日 14:22 |
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| 分类: 氮化镓GaN
11月10日，格芯（GlobalFoundries）宣布与台积电（TSMC）签署技术授权协议，获准使用台积电的650 V与80 V氮化镓（GaN）技术。该授权旨在帮助格芯加速在美国本土推出面向数据中心、工业以及汽车市场的全新GaN电源产品组合，开发时间定于2026年初，生产将于今...  [详内文]

SDI/英飞凌战略结盟：共推AI与SiC/GaN导线架技术

作者 | 发布日期: 2025 年 11 月 10 日 14:36 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
导线架解决方案领导厂商顺德工业股份有限公司（以下简称“SDI”）于11月6日宣布，已与全球功率半导体巨擘德国英飞凌科技签署了产品优先开发权（Right of First Offer, ROFO）合作协议。这项战略合作协议旨在共同推进AI加速器所需的关键导线架技术开发，并携手布局包...  [详内文]

政策加码，河北聚焦碳化硅、氮化镓等领域

作者 | 发布日期: 2025 年 11 月 10 日 14:32 |
关键字: ,
| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近期，河北省工业和信息化厅发布《关于2025年第三代半导体、新型显示产业拟支持项目的公示》，重点聚焦碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等高端材料领域，通过财政补贴、产能扶持与产学研协同等方式，推动国内第三代半导体产业发展。 公示的名单中，涉及碳化硅/氮化镓领域的企业如下： 河北同...  [详内文]

国博电子：硅基氮化镓功放芯片成功量产应用

作者 | 发布日期: 2025 年 11 月 04 日 15:02 |
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| 分类: 产业 , 氮化镓GaN
10月30日，国博电子公告称，公司与国内头部终端厂商共同研发的硅基氮化镓功放芯片，在手机等终端中成功量产应用，累计交付数量超100万只。 图片来源：国博电子公告截图 国博电子表示，公司与国内头部终端厂商共同研发的硅基氮化镓功放芯片，针对手机等终端应用进行设计优化，填补了业内硅基...  [详内文]

这家功率大厂宣布推出垂直GaN半导体！

作者 | 发布日期: 2025 年 11 月 03 日 14:57 |
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| 分类: 氮化镓GaN
10月31日，安森美官微宣布推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，为相关应用的功率密度、能效和耐用性树立新标杆。该技术在安森美纽约锡拉丘兹的工厂研发和制造，并已获得涵盖垂直GaN技术的基础工艺、器件设计、制造以及系统创新的130多项全球专利。 图片来源：安森美 据介绍，安森美的...  [详内文]

英飞凌携手海信推出氮化镓电视适配器

作者 | 发布日期: 2025 年 10 月 31 日 14:38 |
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| 分类: 氮化镓GaN
氮化镓凭借高频、高效、高功率密度等特性，在消费电子领域实现了从快充普及到多场景渗透的跨越式发展。近期，电视电源领域，氮化镓应用传出新进展。 功率半导体大厂英飞凌宣布，其高性能氮化镓功率器件IGD70R270D2S已成功应用于海信最新推出的43R7Q电视适配器。 海信43R7Q适配...  [详内文]

国内12英寸氮化镓达成一起新合作

作者 | 发布日期: 2025 年 10 月 21 日 14:06 |
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| 分类: 氮化镓GaN
10月20日，苏州东微半导体股份有限公司（以下简称“东微半导体”）官微消息，其与苏州晶湛半导体有限公司（以下简称“晶湛半导体”）双方已达成战略合作，共同推进12英寸氮化镓技术与产品的研发与应用。 图片来源：苏州东微半导体股份有限公司 资料显示，东微半导体成立于2008年，产品覆...  [详内文]

功率半导体大厂谈氮化镓前景

作者 | 发布日期: 2025 年 10 月 16 日 18:27 |
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| 分类: 氮化镓GaN
10月13日，瑞萨电子官微发文，介绍了瑞萨及其GaN（氮化镓）技术发展征程，氮化镓应用情况，以及未来氮化镓面临的挑战与机会。 2024年瑞萨电子收购GaN领域的先驱企业Transphorm，进而完成了布局氮化镓的关键一步。此次收购，瑞萨获得了Transphorm的GaN知识产权、...  [详内文]

CGD宣布与格芯合作，扩大ICeGaN® 产能！

作者 | 发布日期: 2025 年 10 月 14 日 17:52 |
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| 分类: 氮化镓GaN
10月13日，剑桥氮化镓器件公司（Cambridge GaN Devices, 以下简称“CGD”）宣布，与全球领先的半导体制造商GlobalFoundries（格芯）达成重要制造合作。 此次合作将大幅增强CGD的供应链能力，利用格芯成熟的8英寸晶圆制程，扩大其独有的ICeGaN...  [详内文]