10月13日，瑞萨电子官微发文，介绍了瑞萨及其GaN（氮化镓）技术发展征程，氮化镓应用情况，以及未来氮化镓面临的挑战与机会。 2024年瑞萨电子收购GaN领域的先驱企业Transphorm，进而完成了布局氮化镓的关键一步。此次收购，瑞萨获得了Transphorm的GaN知识产权、...  [详内文]

10月13日，剑桥氮化镓器件公司（Cambridge GaN Devices, 以下简称“CGD”）宣布，与全球领先的半导体制造商GlobalFoundries（格芯）达成重要制造合作。 此次合作将大幅增强CGD的供应链能力，利用格芯成熟的8英寸晶圆制程，扩大其独有的ICeGaN...  [详内文]

10月10日，英诺赛科发布公告表示，拟募资15.5亿港元，约4.82亿港元用于产能扩充及产品迭代升级。 图片来源：英诺赛科公告截图 英诺赛科在公告中指出，公司与配售代理订立配售协议，配售代理同意作为本公司代理尽力促使不少于六名承配人按照配售协议所载条款并在其条件规限下购20,7...  [详内文]

在半导体技术不断革新的当下，氮化镓凭借其卓越性能成为行业焦点。近期，氮化镓领域动作频频，比利时微电子研究中心（imec）启动12英寸氮化镓项目并公布首批合作伙伴，英诺赛科也携手联合电子与纳芯微，聚焦新能源汽车功率电子领域展开深度合作，这些动态为氮化镓技术的发展与应用带来了新的契机...  [详内文]

随着第三代半导体技术的快速迭代，氮化镓（GaN）凭借高功率密度、低能耗、耐高温等核心优势，已成为消费电子、新能源、工业控制等领域技术升级的关键支撑。近期，全球多家半导体及能源科技企业集中发力，推出多款基于氮化镓技术的创新产品。 安费诺推出高效氮化镓微型逆变器，开辟商用市场新机遇 ...  [详内文]

近期，氮化镓半导体领域发展势头强劲，山东镓数智能科技有限公司与东部高科DB HiTek分别传来重要消息。山东镓数氮化镓单晶衬底项目全面达产，在产能建设与市场拓展方面成果显著；与此同时，东部高科650V GaN HEMT工艺开发进入最终阶段，并计划推出专属氮化镓多项目晶圆项目，同时...  [详内文]

近日，莫干山基金已投项目烟山科技在MicroLED核心制造工艺上取得了重大突破。该公司率先在8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）平台上完成了混合集成（Hybrid Bonding）工艺的全流程打通，并成功点亮了大尺寸MicroLED面板。 与传统键合集成工艺相比，Hybrid ...  [详内文]