文章分类： 氮化镓GaN

这家破产的GaN工厂，被全球三大公司竞购

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 18 日 16:59 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
近日，一场围绕氮化镓（GaN）技术的竞购战正在比利时奥德纳尔德市悄然上演。曾被誉为欧洲GaN技术先驱的BelGaN工厂，因资金链断裂于2024年8月申请破产，其440名员工的命运与价值1.3亿欧元的资产标的，成为全球半导体产业链争夺的焦点。 从辉煌到陨落，BelGaN花落谁家 B...  [详内文]

聚焦三代半等领域，江苏首只高校科技成果转化基金完成注册

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 18 日 9:00 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
据江苏金融湃消息，近日江苏首只高校科技成果转化基金——南京高校科技成果转化天使基金完成工商注册。这只总规模5亿元的基金，将重点投向第三代半导体、前沿新材料等战略领域，为高校科研成果转化注入”耐心资本”。 据悉，该基金由江苏省战略性新兴产业母基金、南京市创新...  [详内文]

国家队再投一家化合物半导体大厂

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 18 日 8:56 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
企查查最新消息显示，3月13日，国家集成电路产业投资基金二期（以下简称“大基金二期”）投资入股了昂坤视觉（北京）科技有限公司。 source：集邦化合物半导体截图 此前，昂坤视觉还获得了中微公司、汇川技术、晶盛机电等知名产业方，金浦投资、招商致远、海望资本、昌发展、冯源资本、清...  [详内文]

欧洲九国联盟，第三代半导体划重点

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:32 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日，德国、荷兰、法国、比利时、芬兰、意大利、奥地利、波兰和西班牙九个国家正式签署协议，组建“半导体联盟”（Semicon Coalition），旨在通过协同合作提升芯片自给能力，并强化自身在全球半导体版图的地位。 上述联盟主攻技术主权、供应链韧性与创新竞争力三大核心方向，将重点...  [详内文]

纳微半导体、CGD两家公司氮化镓新突破

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:28 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
第三代半导体产业中，氮化镓凭借出色的电子迁移率和更高的开关速度，在高频应用领域中展现出优势，吸引业界关注。近期，市场传来纳微半导体、CGD两家公司氮化镓新动态，涉及电动汽车、车载充电以及光伏逆变器等领域。 01 纳微半导体全球首发双向氮化镓开关 3月12日，纳微半导体发布全球首款...  [详内文]

两条8英寸产线新进展：涉及碳化硅、氮化镓

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:23 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
杰立方8英寸碳化硅产线之后，香港再传出两条第三代半导体产线进展。 近期，明报新闻网报道，香港微电子研发院（MRDI）正在设立两条8英寸第三代半导体中试线，分别负责碳化硅及氮化镓研发和生产，预计在今年内完成安装及调试。 2024年5月，香港立法会批准28.4亿港元设立香港微电子研发...  [详内文]

CGD官宣突破性技术

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 14 日 9:49 |
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| 分类: 氮化镓GaN
近日，CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源车主驱逆变器的GaN解决方案。该方案基于其专利ICeGaN® 氮化镓（GaN）技术，目标瞄准规模超百亿美元的电动汽车市场。革命性的 Combo ICeGaN® 方案通过将智能化的ICeGaN® HEMT与传统IGBT 组合并封装于同...  [详内文]

纳微助力长城电源打造超高功率密度模块电源

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 13 日 17:16 |
关键字: ,
| 分类: 氮化镓GaN
纳微半导体宣布其搭载GaNSense™技术的GaNFast️™氮化镓功率芯片进入长城电源供应链，成功助力其打造AI数据中心专用的超高功率密度2.5kW模块电源。 AI的迅猛发展对数据中心提出了更高的算力要求，为了容纳更多的GPUs进行计算，400V独立机柜的架构将成为数据中心的全...  [详内文]

英诺赛科纳入港股通

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 12 日 16:21 |
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| 分类: 氮化镓GaN
今年3月10日，国内氮化镓龙头企业英诺赛科正式纳入港股通，将吸引全球资金，有望进一步巩固氮化镓产业地位。港股通是内地投资港股的便捷通道，连接沪深与港交所股票市场。企业纳入港股通后，能吸引更多资金，提升知名度，并促进股票流动性。 官方资料显示，英诺赛科是全球最大的氮化镓芯片制造企业...  [详内文]

元芯半导体、赛微电子等公司氮化镓新动态

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 10 日 17:12 |
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| 分类: 功率 , 射频 , 氮化镓GaN
氮化镓作为第三代半导体材料的代表，以其高频、高电子迁移率、强辐射抗性、低导通电阻以及无反向恢复损耗等显著优势，在多个领域展现出极大的应用潜力，并吸引相关厂商持续布局。 近期，市场传出元芯半导体、赛微电子等公司在氮化镓领域的新动态。 元芯推出高性能氮化镓功率器件 近日，元芯半导体正...  [详内文]