碳化硅衬底厂商南砂晶圆完成B+轮融资

作者 | 发布日期 2022 年 12 月 21 日 9:19 | 分类 碳化硅SiC

近日,据消息,南砂晶圆完成B+轮融资,由浑璞投资领投。

广州南砂晶圆半导体技术有限公司成立于2018年9月,是一家从事碳化硅单晶材料研发、生产和销售三位一体的国家高新技术企业,公司产品以6英寸半绝缘和N型碳化硅衬底为主。今年2月,广州市发改委公布了“广州市2022年重点项目计划”,南砂晶圆碳化硅项目就在其中。

据悉,南砂晶圆碳化硅单晶材料与晶片生产项目总投资9亿元,建筑面积9万平方米,建设一栋科研办公楼、一栋中试厂房、三栋生产厂房,继续扩大碳化硅晶体生长和加工规模,同时建设外延片加工生产线。

达产后年产各类衬底片和外延片共20万片,年产值将达13.5亿元。

2021年9月,项目1#、2#、3#、4#厂房主体结构全面封顶。

图片来源:拍信网正版图库

值得注意的是,今年9月,由徐现刚教授领衔的 山东大学晶体材料所和南砂晶圆团队采用物理气相传输法(PVT)扩径获得了8英寸4H-SiC籽晶,用于8英寸导电型4H-SiC晶体生长,并加工出厚度520 μm的8英寸4H-SiC衬底。

碳化硅衬底是制造碳化硅器件最基础的材料,也是发展SiC的关键,没有碳化硅衬底就无法制造出碳化硅器件。目前,以衬底和外延为主的碳化硅材料占据了整个碳化硅产业链近70%的价值量,其中衬底价值量占比接近50%。

目前,国内SiC 衬底主流规格分别为 4 英寸和 6 英寸,部分厂商如晶盛机电、烁科晶体、中科院物理所等已成功研发了8英寸SiC单晶。

有业内人士称,碳化硅衬底的成本和产量将长期成为第三代半导体行业的关键竞争核心。(文:集邦化合物半导体 Doris整理)

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