据士兰微电子股份有限公司消息，2026年1月4日，杭州士兰微电子股份有限公司在厦门海沧区举行仪式，宣布其8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线正式通线，同时12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目同步开工建设。
图片来源：士兰微
此次通线的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线，由旗下子公司士兰集宏负责是该公司自主研发且规模化量产的产线，成功突破了8英寸碳化硅晶圆制造的多项核心工艺难题。项目规划用地面积约205亩，主厂房核心面积1.5万平方米，总投资120亿元，分两期建设。
一期计划于2026年至2028年逐步实现产能爬坡，达产后可形成年产42万片8英寸碳化硅功率器件芯片的生产能力。二期投产后，总产能将达到年产72万片。该产线将重点服务于新能源电动汽车、光伏、储能、充电桩、大型白电、AI服务器电源及工业电源等应用场景。
同步开工的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目，规划投资100亿元，聚焦汽车、大型算力服务器、机器人、风光储、工业及通讯等高端应用。
该项目计划于2027年第四季度初步通线，并于2030年实现达产，届时将形成年产24万片12英寸模拟集成电路芯片的生产能力。项目二期规划将在一期基础上再投资100亿元，两期全部完成后，总产能将达到年产54万片12英寸高端模拟集成电路芯片。
根据#士兰微 2025年年度报告及厦门海沧区发改局公开信息，两条产线均按照CIDM模式运营，面向行业客户开放代工，并承担部分共性技术验证功能。8英寸SiC产线首批设备已完成工艺验证，国产设备占比超过70%；12英寸模拟产线将导入国产刻蚀、薄膜、离子注入等机台，国产化率目标不低于60%。
（集邦化合物半导体整理）
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