据长三角国际半导体博览会消息,近期,广东芯粤能半导体有限公司(以下简称“芯粤能”)经过近两年时间的技术研发和测试,已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。
该平台采用芯粤能自主知识产权的沟槽MOSFET结构,可显著降低比导通电阻、提高电流密度,并在确保产品可靠性的同时,...  [详内文]
芯粤能半导体成功开发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台 |
作者 KikiWang | 发布日期: 2025 年 03 月 18 日 9:02 | | 分类: 企业 , 碳化硅SiC |