半导体设备大厂助力磷化铟芯片扩产

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 05 月 08 日 13:56 | 分类 企业 | edit

5月6日，半导体沉积设备爱思强宣布，公司最新G10-AsP系统已交付荷兰磷化铟（InP）代工企业SMART Photonics。 该设备专为砷化物/磷化物应用设计，采用创新的注入器和先进温控技术，使关键层的晶圆均匀性较前代产品提升4倍，同时，具备全自动盒到盒操作能力，并通过原位清...  [详内文]

英飞凌、基本半导体发布碳化硅技术新进展

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 05 月 07 日 14:26 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，凭借其耐高压、高频、高温等特性，正成为新能源汽车、光伏储能和5G通信等领域的技术变革引擎。 近期，基本半导体、英飞凌相继宣布获得碳化硅新突破：基本半导体推出新一代碳化硅MOSFET产品矩阵，覆盖车规级、工业级多场景需求；英飞凌则将基于沟...  [详内文]

功率半导体领域新添两起合作！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 05 月 07 日 14:10 | 分类 企业 , 功率 | edit

功率半导体技术正成为推动新能源汽车、工业自动化、可再生能源以及家电智能化等多领域发展的关键力量。2025年5月，赛米控丹佛斯与中车时代半导体签署合作备忘录，英诺赛科与美的厨热达成 GaN 战略合作，共同推动功率半导体产业的协同创新进入了一个新的阶段。 01、赛米控丹佛斯与中车时代...  [详内文]

西湖大学团队开发出新型碳化硅超透镜！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 05 月 06 日 16:45 | 分类 碳化硅SiC | edit

近期，媒体报道西湖大学仇旻教授课题组成功开发出一种新型的同质碳化硅（4H-SiC）超透镜，为解决高功率激光加工中的热漂移问题提供了全新的解决方案。 相关论文以《4H-SiC 超透镜：抑制高功率激光辐照的热漂移效应》（4H-SiC Metalens: Mitigating Ther...  [详内文]

安森美披露最新财报，终止69亿美元收购

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 05 月 06 日 16:35 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

5月6日，安森美（onsemi）公布了截至2025年4月4日的首个财政季度业绩。数据显示，其首财季的收入为14.46亿美元，同比下滑22.4%（去年同期为18.63亿美元）。盈利方面，安森美半导体本季度净亏损4.86亿美元，合每股亏损1.15美元。去年同期，公司净利润为4.53亿...  [详内文]

星曜半导体正式收购韩国威盛(Wisol)天津封测工厂

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 05 月 06 日 16:22 | 分类 企业 | edit

5月6日，半导体产业再添新动向，浙江星曜半导体 有限公司（Starshine）（以下简称“星曜半导体”）宣布，正式完成对韩国威盛（Wisol）公司旗下天津封测工厂（天津威盛电子有限公司）的收购。 source：星曜半导体 据悉，星曜半导体此次战略收购涵盖该工厂生产设备、软件、成...  [详内文]

英国将向这家化合物半导体工厂投资2亿英镑

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 05 月 06 日 11:54 | 分类 企业 | edit

近期媒体报道，英国国防部宣布追加2亿英镑战略投资Octric Semiconductors，以强化英国本土化合物半导体制造能力。 Octric Semiconductors，这家位于达勒姆郡牛顿艾克利夫的晶圆厂前身为美国Coherent公司旗下砷化镓（GaAs）生产基地，2024...  [详内文]

无锡：全力抢占“三代半”制高点

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 05 月 06 日 11:54 | 分类 企业 | edit

碳化硅作为第三代半导体材料的核心代表，正以其耐高压、高频、高效等特性重塑全球功率半导体产业发展格局，吸引各国争相投入研发。中国碳化硅技术研发进展顺利，近期，两项碳化硅技术迎来新突破。 1、连科半导体八吋硅区熔炉及碳化硅电阻炉成果鉴定达到国际领先水平 “连城数控”官微消息，近期，中...  [详内文]

两家日本半导体公司发布碳化硅新品

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 05 月 06 日 11:54 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

近期，#日本罗姆株式会社 与#三菱电机株式会社 相继推出基于碳化硅（SiC）材料的新型功率半导体模块，分别聚焦电动汽车与家用电器领域。作为第三代半导体技术的代表，碳化硅凭借耐高压、低损耗等特性，正持续拓展其在新能源与消费电子领域的应用边界。 罗姆开发新型碳化硅半导体 日本半导体制...  [详内文]

碳化硅材料：高折射率与高热导性成为最理想AR镜片材料

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 05 月 06 日 11:53 | 分类 碳化硅SiC | edit

以下内容转载自：思瀚研究院 碳化硅材料：高折射率助力实现广阔视场角FOV 碳化硅材料折射率可达2.6以上，对比树脂和玻璃等优势明显，单层镜片即可实现80度以上FOV。常用材料折射率方面，普通树脂约1.51，高折射率树脂约1.74；普通玻璃约1.5，高折射率玻璃约1.9。 而SiC...  [详内文]