今日,据台媒报道,台湾中山大学晶体研究中心已成功长出6吋导电型4H碳化硅单晶,中心厚度为19mm,边缘约为14mm,生长速度达到370um/hr,晶体生长速度更快且具重复性,这标志着台湾地区第三代半导体碳化硅向前推进的进程。
碳化硅作为第三代半导体的代表,具有耐高压、耐高温、高频...  [详内文]
中国台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长 |
作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 03 月 07 日 13:54 | 分类 碳化硅SiC |