近日,就碳化硅单晶制备和碳化硅切割技术方面,有新进展。
浙大联合实验室制备出厚度达100 mm碳化硅单晶
4月26日,浙大杭州科创中心官微发文称,浙江大学杭州国际科创中心(简称科创中心)先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室(简称联合实验室)首次生长出厚度达100 mm的超厚碳化...  [详内文]
碳化硅技术领域2个新进展 |
作者 huang, Mia|发布日期 2024 年 04 月 29 日 14:42 | 分类 功率 |