近日,浙江大学杭州国际科创中心(简称科创中心)先进半导体研究院皮孝东教授与王蓉研究员团队官宣重大突破,成功制备出厚度超300微米的碳化硅(SiC)超厚外延薄膜,首次在国际上实现该厚度级别薄膜的稳定制备,为3万伏级超高压功率器件研发筑牢材料根基。
作为第三代半导体核心材料,碳化硅具...  [详内文]
国际首次!超厚碳化硅外延材料成功研制 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 21 日 15:05 | 分类 碳化硅SiC |
