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⏰参会提醒 | 集邦咨询半导体产业高层论坛明日举行(附参会指南)

作者 |发布日期 2025 年 06 月 09 日 14:52 | 分类 研讨会
明日(6月10日),由TrendForce集邦咨询主办,时创意、铨兴科技支持的“TSS2025集邦咨询半导体产业高层论坛”将在深圳福田金茂JW万豪酒店隆重举行。 为方便出行,顺利参会,小编为大家整理了这份“参会指南”,希望大家在参会期间,收获满满。 温馨提示:本次会议为面向产业链...  [详内文]

借力IPO,基本半导体中山百万级SiC封装线项目获批

作者 |发布日期 2025 年 06 月 09 日 14:17 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
6月4日,广东省投资项目在线审批监管平台发布了基本半导体(中山)有限公司(以下简称“基本半导体”)年产100万只碳化硅模块封装产线建设项目备案公示,这一重大进展,与基本半导体此前5月27日向香港联合交易所递交上市申请的消息相呼应。 图片来源:广东省投资项目在线审批监管平台 此次...  [详内文]

稳懋半导体发布基于SiC衬底的0.12μm GaN HEMT

作者 |发布日期 2025 年 06 月 06 日 13:56 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)技术正迎来重大突破。近日,纯化合物半导体代工厂#稳懋半导体(WIN Semiconductors)推出基于SiC衬底的0.12微米栅极长度D型GaN HEMT技术,预计2025年第三季度量产,这将显著提升高频射频电路性能,加速GaN技术在5G/...  [详内文]

瞄准车规级碳化硅,理想发表重要成果

作者 |发布日期 2025 年 06 月 06 日 13:53 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
6月5日,理想汽车官方公众号发文表示,近期理想汽车在第37届ISPSD(功率半导体器件和集成电路国际会议)上发表了与车规级碳化硅相关的论文。 该篇论文来自理想汽车自研SiC芯片团队,论文题为《1200V汽车级碳化硅MOSFET芯片击穿电压离群芯片的分析与筛选技术研究》,展示了碳化...  [详内文]

国产首颗机器人关节“氮化镓驱动器芯片”正式商用

作者 |发布日期 2025 年 06 月 06 日 13:49 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
近日,中科无线半导体有限公司正式宣布,其基于氮化镓(GaN)HEMT工艺的机器人关节ASIC驱动器芯片已成功推出并投入商用。该芯片作为中科半导体机器人动力系统芯片家族 “机器人关节驱动器芯片系列” 的重要一员,具备卓越性能,可有效满足高功率密度场景需求。 图片来源:中科半导体 ...  [详内文]

瑞萨电子:从SiC“断臂”到GaN战略性布局

作者 |发布日期 2025 年 06 月 05 日 15:30 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日,日本半导体大厂瑞萨电子(Renesas)传出解散其碳化硅(SiC)团队,并取消原定于2025年初的SiC功率半导体量产计划,这一消息在半导体行业激起千层浪。 结合多方消息显示,目前瑞萨电子正准备出售其位于群马县高崎工厂的全新碳化硅设备,而其群马县高崎工厂或改回做传统的硅基市...  [详内文]

罗姆开发100V功率MOSFET新产品,适用于AI服务器

作者 |发布日期 2025 年 06 月 05 日 15:26 | 分类 企业 , 功率
6月3日,罗姆宣布开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET。 图片来源:罗姆半导体集团 新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂),后道工序的生产基地为OSAT(泰国)。另外,新产品已...  [详内文]

总投资2.65亿元,第四代金刚石半导体项目落户乌鲁木齐

作者 |发布日期 2025 年 06 月 05 日 15:22 | 分类 企业 , 半导体产业
6月4日,乌鲁木齐甘泉堡经济技术开发区(工业区)(以下简称“甘泉堡经开区”)与南京储芯电子科技有限公司、福建大卓控股有限公司正式签署协议,标志着总投资2.65亿元的第四代金刚石半导体项目正式落户。 图片来源:甘泉堡经开区零距离 据了解,该项目计划于2025年9月正式开工建设,并力...  [详内文]

《2025全球SiC Power Device市场分析报告》最新版现已上线!

作者 |发布日期 2025 年 06 月 04 日 18:04 | 分类 报告 , 碳化硅SiC
根据TrendForce集邦咨询最新发布的《全球2025 SiC Power Device市场分析》报告指出,凭借晶圆技术升级和产能迅速扩张,SiC功率器件将逐步在高压应用场景(≥900V)确立领导地位,2030年整体市场规模有望成长至164亿美元。同时,在核心电动汽车市场增长放...  [详内文]

总投资4.7亿元,成都高新区微波射频产业园项目启动建设

作者 |发布日期 2025 年 06 月 04 日 18:02 | 分类 企业 , 射频
成都高新区正全力打造“微波之都”,近日,据成都高新区管委会官方网站及《成都日报》消息,其核心项目——微波射频产业园西区已于近日正式启动建设。该项目总投资达4.7亿元,聚焦“制造基地+测试认证中心”功能,旨在进一步补强区域产业链条,抢占微波射频产业技术创新高地。 图片来源:成都...  [详内文]