近日,国星光电受第三代半导体联盟标委会(CASAS)邀请参与了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》两项团体标准的起草与草案讨论(线上),助力加速第三代半导体...  [详内文]
国星光电参与两项碳化硅团体标准起草及讨论会 |
作者 huang, Mia|发布日期 2021 年 06 月 21 日 11:24 | 分类 产业 |