文章分类： 功率

超1300亿！2024年数十个SiC项目有新进展

作者 | 发布日期: 2024 年 05 月 09 日 18:10 |
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| 分类: 功率
2024年以来，SiC产业延续了2023年的火热态势，企业围绕技术研发、签单合作、投融资、IPO、产能建设等方面忙得不亦乐乎，各大厂商频频有利好消息传出。 在投资扩产大旗下，2024年以来已有超30个项目披露了新进展，或签约、或开工、或封顶、或投产，各个项目都在积极推进当中，不断...  [详内文]

碳化硅技术领域2个新进展

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 29 日 14:42 |
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近日，就碳化硅单晶制备和碳化硅切割技术方面，有新进展。 浙大联合实验室制备出厚度达100 mm碳化硅单晶 4月26日，浙大杭州科创中心官微发文称，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室（简称联合实验室）首次生长出厚度达100 mm的超厚碳化...  [详内文]

14.5亿，13万片，国产8英寸碳化硅衬底厂商斩获大单

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 22 日 16:12 |
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近日，世纪金芯与日本某客户签订SiC衬底订单。按照协议约定，世纪金芯将于2024年、2025年、2026年连续三年向该客户交付8英寸SiC衬底共13万片，订单价值约2亿美元（折合人民币约14.5亿元）。 资料显示，世纪金芯成立于2019年12月，致力于第三代半导体SiC功能材料研...  [详内文]

江苏GaN外延制造中心动工

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 19 日 17:59 |
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张家港经开区官微消息，4月18日上午，能华半导体张家港制造中心（二期）项目在张家港经开区再制造基地正式开工建设。 公开资料显示，能华半导体采用IDM全产业链模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si),蓝宝石基GaN（GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN（GaN-o...  [详内文]

推进碳化硅研发，院企开展合作

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 18 日 17:56 |
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| 分类: 功率
4月17日，宾夕法尼亚州立大学宣布，学校已和摩根先进材料公司（下文简称“摩根公司”）签署了一份谅解备忘录（MOU），以促进碳化硅（SiC）的研发。 source：宾夕法尼亚大学 该协议包括一项为期五年、耗资数百万美元的新计划。摩根公司承诺成为宾夕法尼亚州立大学最近发起的碳化硅创...  [详内文]

国内碳化硅外延片市场简析

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 15 日 9:24 |
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随着电动汽车和新能源需求的持续扩大，碳化硅功率半导体元件在各领域的渗透率呈现持续攀升之势。对于碳化硅外延片环节，过去市场长期由Resonac、Wolfspeed等国际大厂主导，中国厂商瀚天天成与天域半导体历经10余年积累，终随新能源浪潮迎来业务高速增长期，近年来全球市场份额得以迅...  [详内文]

镓仁半导体推出2英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 10 日 13:51 |
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| 分类: 功率
4月9日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）宣布正式推出2英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底，在(010)衬底的研发生产方面再创新高。 source：镓仁半导体 据介绍，氧化镓(β-Ga2O3) 具有禁带宽度大、击穿场强高、巴利加优值大等优点，使基于氧化镓的功率器...  [详内文]

韩国釜山将新建2座8英寸化合物半导体工厂

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 09 日 10:37 |
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4月6日，釜山市政府宣布投资400亿韩元（折合人民币约2.14亿元），在东南放射科学产业园区增建采用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等新一代材料的8英寸化合物功率半导体生产设施，该项目已获国家及市级基金资助。 source：拍信网 为构建生产下一代功率半导体的生态系统，釜山市...  [详内文]

韩国首款2300V SiC MOSFET问世

作者 | 发布日期: 2024 年 04 月 03 日 14:27 |
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| 分类: 功率
据韩媒ETnews报道，3月26日，半导体设计公司Power Cube Semi宣布，已在韩国首次成功开发出2300V碳化硅（SiC）MOSFET，并将于明年初量产。 source：Power Cube Semi 据介绍，Power Cube Semi称，2300V SiC M...  [详内文]