文章分类： 企业

苏格兰SiC晶圆厂Clas-SiC开展大动作

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:46 |
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| 分类: 企业
12月19日，据外媒消息，苏格兰碳化硅（SiC）晶圆厂Clas-SiC正在寻求2400万英镑（折合人民币约2.18亿元）的投资，用来扩大洁净室空间并购买额外的生产设备，此举有望将工厂的产能扩大至2.5倍，该笔资金还可以用于后续的工艺开发和弹性运营。 据了解， Clas-SiC是英...  [详内文]

韩国APROSEMICON公司新建GaN生产基地

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:45 |
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| 分类: 企业
据外媒消息，近日，韩国APROSEMICON公司（首席执行官Jonghyun Lim）将把其光州总部迁至庆北龟尾，并投资600亿韩元（折合人民币约3.3亿元）建设以氮化镓 (GaN) 为基础的功率半导体生产设施。 为此，该公司于12日与庆尚北道和龟尾市签署了谅解备忘录。Apros...  [详内文]

数千万！SiC MOSFET厂商至信微电子完成A轮融资

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:43 |
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| 分类: 企业
近日，深圳市至信微电子有限公司（以下简称至信微电子）宣布完成数千万元A轮融资，本轮融资由深智城产投、正景资本、扬子江基金、太和基金共同投资，融资资金将用于加速公司产品研发、团队扩建以及市场拓展等。 资料显示，至信微电子成立于2021年11月，是一家专注于第三代半导体功率器件研发的...  [详内文]

南京国盛第一枚GaN on Si外延片正式下线

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:43 |
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| 分类: 企业
12月22日，电科材料下属国盛公司南京外延材料产业基地项目第一枚硅基氮化镓（GaN on Si）外延片正式下线。 据介绍，GaN on Si材料具有高频率、低损耗、抗辐射性强等优势，制成的器件还有一定的成本优势，具有较强的竞争力。国盛公司制备的GaN on Si外延片，可以满足电...  [详内文]

斥资50亿！光谷打造化合物半导体企业总部园区

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 21 日 17:45 |
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| 分类: 企业
12月20日，武汉东湖高新区（以下简称光谷）宣布投资50亿元建设化合物半导体孵化加速及制造基地，选址九峰山实验室南面，计划明年开工，后年投用。作为总部园区，力争在3年内引育企业100家。 据悉，九峰山实验室是湖北十大实验室之一，已建成化合物半导体产业科研及中试平台。该总部园区将利...  [详内文]

晶盛机电实现8英寸衬底批量生产

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 21 日 17:35 |
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| 分类: 企业
12月21日，晶盛机电在回答投资者提问时表示，公司8英寸碳化硅（SiC）衬底片已实现批量生产，量产晶片的核心位错达到行业领先水平。 据悉，晶盛机电自2017年开始SiC晶体生长设备和工艺研发，经过几年沉淀，今年已经迎来收获期。今年2月4日，晶盛机电成功发布6英寸双片式SiC外延设...  [详内文]

时代电气取得高压SiC电机控制器专利

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:44 |
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天眼查资料显示，12月12日，株洲中车时代电气股份有限公司（以下简称时代电气）公开一项“一种高压SiC电机控制器及包含其的电动汽车”专利，申请公布号CN117220562A，申请日期为2023年8月30日。 该专利摘要显示，本发明公开了一种高压SiC电机控制器及包含其的电动汽车，...  [详内文]

聚焦SiC单晶衬底，世纪金芯和湖南S公司达成战略合作

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:42 |
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| 分类: 企业
近日，合肥世纪金芯半导体有限公司（以下简称世纪金芯）与湖南S公司正式签订战略合作协议。根据协议，双方将围绕碳化硅（SiC）单晶衬底在业务和技术方面推行战略合作，年合作不低于5万片，交易金额超过2亿元。 资料显示，世纪金芯成立于2019年12月，致力于第三代半导体SiC功能材料研发...  [详内文]

晶盛机电：SiC生长设备自研自用，外延设备外销

作者 | 发布日期: 2023 年 12 月 19 日 13:43 |
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| 分类: 企业
12月19日，晶盛机电在投资者互动平台表示，公司碳化硅（SiC）生长设备为自研自用，对外销售SiC外延设备。SiC衬底及外延片利润情况受其市场价格、综合成本等因素影响，随着公司长晶及加工技术、成本控制的不断优化，预期未来利润将因此受益。 source:晶盛机电 在SiC设备方面...  [详内文]