文章分类： 氮化镓GaN

深圳平湖实验室GaN课题组迎新成果

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 23 日 14:29 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN
近期，深圳平湖实验室的论文《肖特基型p-GaN栅HEMT中双跨导峰与单跨导峰的演变：部分耗尽与完全耗尽p-GaN层的影响》被IEEE ISPSD确认接收，论文第一作者为刘轩博士，通讯作者为万玉喜、David Zhou。 IEEE ISPSD涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、工艺...  [详内文]

先为科技首台GaN MOCVD外延设备正式发货

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 18 日 13:53 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
“先为科技”官微消息，6月16日无锡先为科技有限公司首台 GaN MOCVD BrillMO 外延设备正式发往国内头部的化合物半导体企业。 图片来源：先为科技 先为科技表示，此次发货的 GaN MOCVD BrillMO 外延设备，各项性能均达到行业领先水平。该设备运用特有的温...  [详内文]

GaN驱动电源革新，多款氮化镓电源产品发布

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 13 日 17:00 |
关键字:
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
在科技飞速发展的当下，氮化镓（GaN）技术正以其卓越的性能，为电源领域带来一场深刻变革。近期，MPS芯源系统和小米生态链企业酷态科，分别推出集成氮化镓技术的新产品，引发行业广泛关注。 1、MPS发布集成氮化镓的高效电源方案 6月初，MPS芯源系统发布两款新品——NovoOne开关...  [详内文]

又一批第三代半导体项目刷新进度：封顶、试运行、冲刺生产！

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 12 日 15:20 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 砷化镓
在全球科技竞争日益激烈的当下，第三代半导体凭借其卓越的性能，成为推动电子信息产业变革的关键力量。近期，第三代半导体领域多个项目取得重要进展，为该行业的发展注入了新的活力。 01奥通碳素半导体级等静压石墨项目：设备调试收官+试生产并行 6月9日，据“最内江”公众号消息，奥通碳素（内...  [详内文]

华东理科大学氮化镓晶圆检测研究新进展

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:11 |
关键字:
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
近日，华东理科大学上海市智能感知与检测技术重点实验室智能传感团队在氮化镓晶圆检测研究中取得重要进展。 图片来源：华东理科大学 团队利用开发的二维有机薄膜忆阻器实现了有图案晶圆的缺陷检测和无图案晶圆的表面粗糙度分类。 相关研究成果以“Covalent organic framew...  [详内文]

稳懋半导体发布基于SiC衬底的0.12μm GaN HEMT

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:56 |
关键字:
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）技术正迎来重大突破。近日，纯化合物半导体代工厂#稳懋半导体（WIN Semiconductors）推出基于SiC衬底的0.12微米栅极长度D型GaN HEMT技术，预计2025年第三季度量产，这将显著提升高频射频电路性能，加速GaN技术在5G/...  [详内文]

国产首颗机器人关节“氮化镓驱动器芯片”正式商用

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:49 |
关键字:
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
近日，中科无线半导体有限公司正式宣布，其基于氮化镓（GaN）HEMT工艺的机器人关节ASIC驱动器芯片已成功推出并投入商用。该芯片作为中科半导体机器人动力系统芯片家族 “机器人关节驱动器芯片系列” 的重要一员，具备卓越性能，可有效满足高功率密度场景需求。 图片来源：中科半导体 ...  [详内文]

瑞萨电子：从SiC“断臂”到GaN战略性布局

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 05 日 15:30 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日，日本半导体大厂瑞萨电子（Renesas）传出解散其碳化硅（SiC）团队，并取消原定于2025年初的SiC功率半导体量产计划，这一消息在半导体行业激起千层浪。 结合多方消息显示，目前瑞萨电子正准备出售其位于群马县高崎工厂的全新碳化硅设备，而其群马县高崎工厂或改回做传统的硅基市...  [详内文]

布里斯托大学团队实现 GaN 突破

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 03 日 9:24 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN
近日，英国布里斯托大学研究团队在《自然·电子学》（Nature Electronics）期刊发表突破性研究，首次揭示了氮化镓（GaN）多通道晶体管中锁存效应的物理机制，并成功开发出超晶格城堡场效应晶体管（SLCFET）技术。 图片来源：《自然·电子学》期刊截图 该研究通过设计超...  [详内文]

罗姆首款高耐压GaN驱动器IC量产

作者 | 发布日期: 2025 年 05 月 28 日 14:16 |
关键字:
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
5月27日，罗姆宣布推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动，有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。 图片来源：罗姆半...  [详内文]