文章分类： 碳化硅SiC

湖南这家碳化硅设备厂商，1900℃高温炼出“芯”材料

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 15 日 14:28 |
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| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
近日媒体报道，在湖南艾科威半导体装备有限公司（以下简称“艾科威”）里，一台制作半导体材料的碳化硅（SiC）高温激活炉正在装车，准备发往外地某芯片公司。 艾科威研发总监尹昊介绍，碳化硅高温激活炉，通过在高温环境下对碳化硅材料进行表面改性处理，实现晶圆表面石墨层的制备，主要应用于碳化...  [详内文]

11.2亿，这家辽宁碳化硅企业正式被收购！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 15 日 14:21 |
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| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
8月13日，正帆科技宣布以11.2亿元现金收购辽宁汉京半导体材料有限公司62.23%的股权，此次交易完成后，汉京半导体将成为正帆科技的控股子公司。 图片来源：正帆科技公告 此次收购的定价基于#汉京半导体 100%股权估值18亿元，资金来源包括#正帆科技 自有资金及银行贷款。支付...  [详内文]

国内首套！全国产碳化硅器件双向超充桩面世

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 14 日 14:06 |
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| 分类: 碳化硅SiC
据“南方电网报”报道，近日由广东电网公司佛山供电局生产指挥中心技术团队研发的全国首套“基于全国产化碳化硅器件的360千瓦/800伏特双向超充桩”通过新产品技术鉴定。 据介绍，该成果实现了三大突破：全国产化替代、充电效率跃升至98%、充电速度高达“5分钟续航200公里”，填补了国产...  [详内文]

台积电宣布退出/调整6、8英寸产能，SiC、GaN受关注！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 13 日 14:09 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
8月12日，全球晶圆代工龙头台积电（TSMC）披露，董事会已决定在未来两年内逐步退出6英寸晶圆制造业务，并持续整并8英寸晶圆产能。此举对第三代半导体的碳化硅和氮化镓产生了不同程度的影响。 台积电在声明中指出，此项决定不会影响公司先前公布的财务目标，即2025年美元营收将增长约30...  [详内文]

深圳在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 12 日 13:49 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
“深圳国资”官微消息，近期由市属国企深重投集团与深圳市科技创新局联合打造的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（以下简称“国创中心”）在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展。 国创中心首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延。这一成果...  [详内文]

Wolfspeed、英诺赛科动态，涉及碳化硅、氮化镓新品

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 17:05 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
第三代半导体领域，Wolfspeed与英诺赛科近日推出创新产品——Wolfspeed发布第四代1200V车规级碳化硅MOSFET，英诺赛科推出全球首款100V氮化镓低边驱动IC，双双发力，为新能源汽车动力系统与电池管理生态注入新动能。 1、Wolfspeed推出第四代1200V车...  [详内文]

国际首次突破！深圳平湖实验室攻克GaN/SiC单片集成技术瓶颈

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:52 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
8月7日，深圳平湖实验室官微宣布，深圳平湖实验室近日在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延。 据了解，该成果打破了大尺寸GaN与SiC材料单片集成的技术瓶颈，为GaN/SiC混合器件的发...  [详内文]

中芯国际：未来将配合建立SiC、GaN等第三代半导体产能

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:42 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
8月7日，中芯国际联合CEO赵海军在业绩会上表示，公司未来将根据国际客户的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓）等第三代半导体产能。 这一战略举措标志着中芯国际在第三代半导体领域的进一步拓展，旨在满足国内市场对高端半导体产品的需求，...  [详内文]

英国这家初创公司，凭两大新专利进军GaN与SiC市场

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:01 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
随着宽禁带半导体领域部分核心专利陆续到期，一场技术创新的浪潮正悄然兴起。英国初创公司#栅源漏半导体（Gate Source Drain Semiconductor Ltd）抓住这一历史机遇，正专注于研发新一代的专利保护型宽禁带半导体材料与器件。该公司计划在未来2-3年内，推出垂直...  [详内文]

应对中国厂商竞争，罗姆加速SiC研发

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 07 日 17:12 |
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| 分类: 碳化硅SiC
近期，罗姆半导体公布了2025财年一季度财报（2025年4月-6月）。该季，罗姆半导体实现营收1162亿日元，同比下滑1.8%，净利润为29亿日元，同比下滑14.3%。 图片来源：罗姆半导体 罗姆半导体表示，该季车用碳化硅器件销售保持稳健，但受客户调整因素影响，对外销售的SiC...  [详内文]