文章分类： 产业

总投资10亿，铭方半导体碳化硅芯片相关项目封顶

作者 | 发布日期: 2024 年 12 月 31 日 14:45 |
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| 分类: 产业 , 企业
12月25日，据清江浦区委宣传部透露，铭方集成电路封装测试及产业化项目的封测车间厂房东侧已完成主体封顶，西侧部分正在进行一层主体施工，办公楼及附属用房已完成主体工程量的70%。 图片来源：拍信网正版图库 据悉，该项目总投资10亿元，占地39亩，总建筑面积4.6万平方米，于202...  [详内文]

从10大关键词看2024年第三代半导体风云变幻（国际篇）

作者 | 发布日期: 2024 年 12 月 30 日 14:01 |
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| 分类: 产业
岁末已至，集邦化合物半导体提炼出了2024年第三代半导体产业（海外市场）十大关键词，与大家一起回顾不平凡的2024年。 根据TrendForce集邦咨询最新预测，未来几年，尽管面临挑战，但碳化硅/氮化镓功率器件市场规模将维持增长态势。在此背景下，国际功率器件大厂纷纷在碳化硅/氮化...  [详内文]

士兰微获得政府补助1837.70万元

作者 | 发布日期: 2024 年 12 月 26 日 18:00 |
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| 分类: 产业 , 企业
12月25日晚间，杭州士兰微电子股份有限公司（以下简称：士兰微）发布关于获得政府补助的公告。公告称，士兰微于2024年12月24日收到与收益相关的政府补助1837.70万元，占公司2023年度经审计归属于上市公司股东的净利润的绝对值的51.35%。 图片来源：拍信网正版图库 据...  [详内文]

盛美上海成立半导体设备新公司

作者 | 发布日期: 2024 年 12 月 26 日 18:00 |
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| 分类: 产业 , 企业
天眼查资料显示，盛美半导体设备（成都）有限公司于2024年12月24日成立，法定代表人为王坚，注册资本1410万人民币，经营范围含半导体器件专用设备制造、电子专用设备制造、电子专用设备销售、半导体器件专用设备销售等。 图片来源：拍信网正版图库 股东信息显示，盛美半导体设备（成都...  [详内文]

总投资超50亿，国内2个化合物半导体项目通线、投产

作者 | 发布日期: 2024 年 12 月 25 日 18:00 |
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| 分类: 产业 , 企业
尽管目前以碳化硅（SiC）/氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料正在被广泛应用，风光无限，但产业界仍然在持续加码以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表的第二代半导体材料，以期挖掘砷化镓、磷化铟材料更长远和更大的价值。 近日，国内又有2个砷化镓、磷化铟相关项目几乎同时披露...  [详内文]

华海清科：化合物半导体刷片清洗装备首台验收

作者 | 发布日期: 2024 年 12 月 24 日 18:00 |
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| 分类: 产业 , 企业
12月23日，华海清科在投资者互动平台表示，其化学机械抛光（CMP）装备包含清洗模块，清洗技术均为其自主研发，其自主研发的清洗装备已批量用于公司晶圆再生生产，应用于4/6/8英寸化合物半导体的刷片清洗装备和12英寸单片终端清洗机已实现首台验收。 图片来源：拍信网正版图库 资料显...  [详内文]

业务涉碳化硅，骄成超声总部基地开工

作者 | 发布日期: 2024 年 12 月 24 日 18:00 |
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| 分类: 产业 , 企业
12月23日，据“上海骄成”消息，上海骄成超声波技术股份有限公司（以下简称：骄成超声）总部基地及先进超声装备产业化项目于12月21日举行开工典礼。该项目将建设骄成超声总部、研发中心、销售中心、产业化中心等。 source：上海骄成 资料显示，骄成超声成立于2007年，聚焦超声波...  [详内文]

碳化硅/氮化镓产业加速整合，2024年15起收并购一览

作者 | 发布日期: 2024 年 12 月 23 日 18:00 |
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| 分类: 产业
收并购是产业发展不可或缺的重要手段，对于企业而言也有一定的积极影响甚至是重要意义。目前，碳化硅/氮化镓产业已进入整合期，厂商收并购事件屡见不鲜。 据集邦化合物半导体不完全统计，2024年以来碳化硅/氮化镓领域共产生15起收并购动态，其中包括涉资数十亿元的大动作。这一系列收并购事件...  [详内文]

美迪凯：第三代半导体封测已实现小批量生产

作者 | 发布日期: 2024 年 12 月 20 日 18:00 |
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| 分类: 产业 , 企业
12月18日，美迪凯在投资者互动平台对业务进展情况进行了介绍，其中包括第三代半导体相关进展。 据介绍，美迪凯微电子的年产20亿颗（件、套）半导体器件建设项目和美迪凯光学半导体的半导体晶圆制造及封测项目都在按计划推进；公司射频芯片主要为设计公司代工，Normal SAW、TC-SA...  [详内文]

机器人，氮化镓下一个风口？

作者 | 发布日期: 2024 年 12 月 20 日 18:00 |
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| 分类: 产业 , 功率 , 氮化镓GaN
氮化镓（GaN）材料具有宽禁带、高电子迁移率、高热导率、高击穿电压、化学稳定性等特点，以及较强的抗辐射、抗高温、抗高压能力，这些特性使得氮化镓在功率半导体器件、光电子器件以及射频电子器件等领域具有广阔的应用前景。 目前，功率氮化镓在消费电子领域应用已渐入佳境，并正在逐步向各类应用...  [详内文]