碳化硅与氮化镓，谁拥有更广阔的星辰大海

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 31 日 17:23 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

当下，低碳化和数字化齐头并进的发展，带来了万物互联、能源效率、未来出行等多重变革。而在这个突飞猛进的过程中，第三代半导体则发挥着重要作用。 同属第三代半导体，碳化硅和氮化镓近年来不断发光发热，成为半导体领域的“流量明星”。那么，这两种材料，谁的市场前景更大呢？ 碳化硅和氮化镓：在...  [详内文]

【会议预告】国星光电：GaN的SIP封装及其应用

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 31 日 17:22 | 分类 氮化镓GaN | edit

SIP（系统级封装）技术是通过将多个裸片及无源器件整合在单个封装体内的集成电路封装技术。在后摩尔时代，SiP技术可以帮助芯片成品增加集成度、减小体积并降低功耗。 国星光电已开发出多款使用SIP封装的GaN-IC产品，可在LED驱动电源、LED显示器驱动电源、墙体插座快充、移动排插...  [详内文]

第一季全球新能源车销量达265.6万辆，特斯拉市占回升

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 31 日 17:21 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

根据TrendForce集邦咨询统计，2023年第一季全球新能源车（NEV；包含纯电动车、插电混合式电动车、氢燃料电池车）销售总量为265.6万辆，年增28%。其中纯电动车（BEV）销量为194.2万辆，年成长26%；插电混合式电动车（PHEV）销量71.1万辆，年增34%。 ...  [详内文]

纳微启动SiC外延片产能建设计划

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 31 日 17:20 | 分类 碳化硅SiC | edit

据外媒报道，纳微半导体日前宣布了SiC外延片产能建设计划，以加强对产业链控制、减少成本并提高其GeneSiC碳化硅业务的营收能力。 根据规划，公司将投资2000万美元，在位于加利福尼亚州托伦斯的总部建立一个三反应腔的SiC外延生长设施，第一台具有6、8英寸晶圆处理能力的AIXTR...  [详内文]

【会议预告】天域半导体：碳化硅外延浅析

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 30 日 17:26 | 分类 碳化硅SiC | edit

SiC属于宽禁带半导体材料，也称为第三代半导体。凭借其禁带宽度大、饱和电子迁移率高、导热性能等优势，适合于做大功率、耐高温、耐高压的半导体器件。 SiC产业链主要分为晶片制备、外延生长、器件制造、模块封测和系统应用等部分。其中外延是承上启下的重要环节，具有非常关键的作用。 天域半...  [详内文]

华灿光电完成650V GaN产品小批量出样和测试

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 30 日 17:25 | 分类 氮化镓GaN | edit

近日，华灿光电在接受机构调研时称，公司目前已完成了650V GaN产品的小批量出样和测试，650V GaN MOSFET出样，性能可符合高频AC/DC PD 65W快充应用。 华灿光电表示，2022年，在自有外延方面，已启动6英寸蓝宝石衬底研发，初步完成650VGaN on Si...  [详内文]

小米再投一家SiC企业

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 30 日 17:24 | 分类 碳化硅SiC | edit

近日，杰平方半导体（上海）有限公司发生工商变更，新增北京小米智造股权投资基金合伙企业（有限合伙）等为股东，同时公司注册资本由约5628.57万人民币增至约8175.49万人民币。 杰平方半导体是一家聚焦车载芯片研发的芯片设计公司，成立于2021年10月，法定代表人为俎永熙。业务主...  [详内文]

又一辆SiC列车实现载客运营

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 30 日 17:22 | 分类 碳化硅SiC | edit

SiC属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势，是卫星通信、电动汽车、高压输变电、轨道交通等重要领域的核心材料。 轨道交通牵引系统功率容量超过兆瓦级，需要功率半导体器件具备更大容量的电流输出能力，目前Si基功率器件性能逐渐逼近理论极限，SiC功率器件成为重点发...  [详内文]

总投资18亿，6个第三代半导体项目签约北京

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 29 日 17:27 | 分类 碳化硅SiC | edit

昨日，北京（国际）第三代半导体创新发展论坛举办。现场，国联万众碳化硅功率芯片二期、晶格领域液相法碳化硅衬底生产、特思迪减薄-抛光-CMP设备生产二期、铭镓半导体氧化镓衬底及外延片等6个签约落地，预计总投资近18亿元。 据报道，顺义区规划建设总面积约20万平米的三代半标厂，目前一期...  [详内文]

全球InP产业发展现状浅析

作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 05 月 29 日 17:26 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC | edit

作为化合物半导体材料，InP（磷化铟）半导体元件具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性，在光通信、数据中心、新一代显示、人工智能、无人驾驶、航天等领域具有广阔的应用前景。 目前InP材料主要用于制造光子元件和微波射频元件，其在光子领域具...  [详内文]