日前,辽宁百思特达半导体科技有限公司(以下简称“百思特达”)氮化镓半导体芯片项目已进入产品试生产阶段。
据此前披露消息,项目于2019年11月开工建设,总投资3亿元,占地面积125亩,总建筑面积5万余平方米。其中包括2栋氮化镓外延片及芯片生产车间、1栋芯片封装及应用产品生产制造车...  [详内文]
百思特达氮化镓项目进入产品试生产阶段 |
作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 01 月 30 日 9:57 | 分类 氮化镓GaN |