最新文章

南京国盛第一枚GaN on Si外延片正式下线
作者 |发布日期 2023 年 12 月 25 日 17:43 | 分类 企业
12月22日，电科材料下属国盛公司南京外延材料产业基地项目第一枚硅基氮化镓（GaN on Si）外延片正式下线。 据介绍，GaN on Si材料具有高频率、低损耗、抗辐射性强等优势，制成的器件还有一定的成本优势，具有较强的竞争力。国盛公司制备的GaN on Si外延片，可以满足电...  [详内文]

河北印发支持第三代半导体发展若干措施通知
作者 |发布日期 2023 年 12 月 22 日 13:45 | 分类 功率
近日，为推动为贯彻落实全省推动电子信息产业发展座谈会精神,加快第三代半导体发展，河北省人民政府印发《关于支持第三代半导体等5个细分行业发展的若干措施》，相关内容如下： (一)支持设计研发验证 对拥有自主知识产权的第三代半导体设计企业,其研发设计的新产品通过用户验证并产生销售收入,...  [详内文]

意法半导体与理想汽车签署SiC长期供货协议
作者 |发布日期 2023 年 12 月 22 日 13:41 | 分类 功率
12月22日，意法半导体官微宣布，公司与理想汽车签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议。按照协议，意法半导体将为理想汽车提供SiC MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。 意法半导体和理想聚焦SiC 作为全球半导体知名厂商和国内新能源汽车龙头企业，意法半导体和...  [详内文]

斥资50亿！光谷打造化合物半导体企业总部园区
作者 |发布日期 2023 年 12 月 21 日 17:45 | 分类 企业
12月20日，武汉东湖高新区（以下简称光谷）宣布投资50亿元建设化合物半导体孵化加速及制造基地，选址九峰山实验室南面，计划明年开工，后年投用。作为总部园区，力争在3年内引育企业100家。 据悉，九峰山实验室是湖北十大实验室之一，已建成化合物半导体产业科研及中试平台。该总部园区将利...  [详内文]

晶盛机电实现8英寸衬底批量生产
作者 |发布日期 2023 年 12 月 21 日 17:35 | 分类 企业
12月21日，晶盛机电在回答投资者提问时表示，公司8英寸碳化硅（SiC）衬底片已实现批量生产，量产晶片的核心位错达到行业领先水平。 据悉，晶盛机电自2017年开始SiC晶体生长设备和工艺研发，经过几年沉淀，今年已经迎来收获期。今年2月4日，晶盛机电成功发布6英寸双片式SiC外延设...  [详内文]

一汽大湾区研发院揭牌，聚焦SiC功率半导体等方向
作者 |发布日期 2023 年 12 月 20 日 17:45 | 分类 功率
12月18日，中国第一汽车集团有限公司大湾区研发院揭牌仪式在深圳国资国企产业创新中心举行。 据悉，本次揭牌的中国一汽大湾区研发院将聚焦新能源和智能汽车领域前瞻技术、先进材料、功率电子、芯片与车路协同示范五大方向，全力推进全固态激光雷达、平面栅碳化硅（SiC）功率半导体与先进陶瓷材...  [详内文]

时代电气取得高压SiC电机控制器专利
作者 |发布日期 2023 年 12 月 20 日 17:44 | 分类 企业
天眼查资料显示，12月12日，株洲中车时代电气股份有限公司（以下简称时代电气）公开一项“一种高压SiC电机控制器及包含其的电动汽车”专利，申请公布号CN117220562A，申请日期为2023年8月30日。 该专利摘要显示，本发明公开了一种高压SiC电机控制器及包含其的电动汽车，...  [详内文]

聚焦SiC单晶衬底，世纪金芯和湖南S公司达成战略合作
作者 |发布日期 2023 年 12 月 20 日 17:42 | 分类 企业
近日，合肥世纪金芯半导体有限公司（以下简称世纪金芯）与湖南S公司正式签订战略合作协议。根据协议，双方将围绕碳化硅（SiC）单晶衬底在业务和技术方面推行战略合作，年合作不低于5万片，交易金额超过2亿元。 资料显示，世纪金芯成立于2019年12月，致力于第三代半导体SiC功能材料研发...  [详内文]