最新文章

拟募资5.02亿元,黄山谷捷创业板IPO注册生效

作者 |发布日期 2024 年 11 月 18 日 18:00 | 分类 企业
深交所披露信息显示,黄山谷捷股份有限公司(以下简称:黄山谷捷)创业板IPO已于11月6日注册生效。 招股书显示,黄山谷捷是一家专业从事功率半导体模块散热基板研发、生产和销售的国家高新技术企业,系车规级功率半导体模块散热基板行业的领先企业。公司产品主要应用于新能源汽车领域,是新能...  [详内文]

广州粤升半导体商宣布碳化硅外延设备大批量出货

作者 |发布日期 2024 年 11 月 18 日 17:28 | 分类 企业
11月18日,广州粤升半导体设备有限公司(下文简称“广州粤升”)宣布,公司已在今年9月实现碳化硅(SiC)外延设备的大批量出货。 source:广州粤升 广州粤升表示,此批设备在第一代外延炉基础上做了进一步优化设计,具备生产高质量、高稳定性的外延片生产能力。 资料显示,广州粤升...  [详内文]

美国向韩国碳化硅晶圆厂提供39亿贷款

作者 |发布日期 2024 年 11 月 15 日 17:59 | 分类 企业
11月12日,美国能源部宣布向SK Siltron CCS提供5.44亿美元(折合人民币约39.32亿元)贷款(4.815亿美元本金和6250万美元资本化利息),以扩大用于电动汽车(EV)电力电子设备的高质量碳化硅(SiC)晶圆的在美制造。 公开资料显示,SK Siltron C...  [详内文]

广东珠海100亿碳化硅相关项目投产

作者 |发布日期 2024 年 11 月 15 日 17:58 | 分类 功率
据珠海网消息,11月14日,总投资约100亿元的珠海奕源半导体材料产业基地项目在金湾区半导体产业园开工建设。 source:观海融媒 据介绍,珠海奕源项目是北京奕斯伟集团聚焦半导体行业上游先进材料,在金湾区打造的集研发、生产、销售于一体的半导体材料产业基地。该项目由华发集团战略...  [详内文]

深重投国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台亮相

作者 |发布日期 2024 年 11 月 15 日 17:57 | 分类 功率
11月15日,深重投集团投建的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台在中国国际高新技术成果交易会(简称:高交会)上,召开建成发布会。 source:高交会 据介绍,建成发布的深圳综合平台具备碳化硅、氮化镓及超宽禁带功率材料与器件研发、集成设计及试制能力。 深圳综合平台主要由三...  [详内文]

国宇电子硅基GaN芯片项目签约落地

作者 |发布日期 2024 年 11 月 14 日 10:49 | 分类 企业
11月13日,据“扬州经开区发布”官微消息,扬州2024(北京)经济社会发展汇报会于11月12日举行。扬州经开区现场签约央企合作项目2个,总投资36亿元,其中之一为中国电子科技集团与绿投集团国宇电子功率芯片项目。 source:扬州经开区发布 该项目总投资11亿元,其中一期项目...  [详内文]

天岳先进发布12英寸碳化硅衬底

作者 |发布日期 2024 年 11 月 14 日 10:40 | 分类 企业
11月14日,天岳先进官微披露,2024德国慕尼黑半导体展览会(Semicon Europe 2024)于11月12日正式开幕,天岳先进携全系列碳化硅(SiC)衬底产品亮相,并于11月13日发布了12英寸(300mm)N型碳化硅衬底产品,标志着碳化硅产业正式迈入超大尺寸碳化硅衬底...  [详内文]

含沟槽栅碳化硅MOSFET,晶能、三菱电机、悉智科技发布新品

作者 |发布日期 2024 年 11 月 13 日 18:00 | 分类 产业
近日,晶能、三菱电机、悉智科技相继发布了碳化硅功率器件/模块新品,其中包括沟槽栅SiC-MOSFET。 晶能发布太乙混合功率器件,采用SiC&IGBT并联设计 11月12日,据晶能微电子官微消息,由吉利汽车集团中央研究院新能源开发中心、技术规划中心、电子电器中心和零部件产...  [详内文]

碳化硅相关企业宏微科技、拓荆科技分别参股新公司

作者 |发布日期 2024 年 11 月 13 日 18:00 | 分类 产业
继碳化硅器件厂商扬杰科技在11月初成立一家新公司后,近日又有2家碳化硅相关企业宏微科技、拓荆科技分别参股成立了新公司。 企查查信息显示,常州宏诺致远创业投资合伙企业(有限合伙)于11月5日成立,执行事务合伙人为常州和诺资本管理有限公司,出资额4000万元,经营范围含创业投资(限投...  [详内文]

印度开发出4英寸碳化硅晶圆工艺

作者 |发布日期 2024 年 11 月 13 日 15:56 | 分类 功率
据外媒报道,11月11日,印度国防研究与发展组织(DRDO)下属的固体物理实验室已成功开发出本土一种工艺,可以生长和制造直径为4英寸的碳化硅(SiC)晶片。此外,他们还已制造出功率高达150W的氮化镓(GaN)HEMT以及功率为40W的单片微波集成电路(MMIC),这些器件能够在...  [详内文]