近日,杭州镓仁半导体宣布,其依托氧化镓厚膜外延核心工艺迭代,正式对外推出全新高性能氧化镓薄膜外延片产品,产品面向高压功率、射频探测芯片研发提供国产核心材料支撑。
本次新品基于企业自研铸造法单晶生长与定制化MOCVD外延工艺打造,多项关键性能指标达到国际先进水准。晶圆多点XRD摇摆...  [详内文]
镓仁半导体推出高性能氧化镓薄膜外延新品 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 09 日 14:45 | 分类 氧化镓 |
