7月15日,韩国媒体《首尔新闻》报道,韩国功率半导体设计企业RootSemicon与碳化硅专业晶圆制造商SK Powertec联合研发的1200V/11mΩ大尺寸SiC MOSFET取得关键进展,芯片首轮工程流片平均良率达到80%。
双方于今年4月正式签署SiC MOSFET晶圆...  [详内文]
韩国大尺寸SiC MOSFET获新进展 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 16 日 16:25 | 分类 碳化硅SiC |
