在近期举行的国际功率半导体器件与集成电路会议(ISPSD)上,理想汽车功率芯片团队发表了两篇论文,分别围绕SiC MOSFET芯片中极低概率工艺缺陷的识别与拦截方法,以及考虑温度变化影响的芯片寿命预测模型展开。两项研究基于大量测试数据,揭示了传统测试方法可能高估芯片寿命的问题,并...  [详内文]
国内车企发布SiC MOSFET领域关键技术成果 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 09 日 15:10 | 分类 碳化硅SiC |
