545亿港元募资落地，磷化铟材料战已至关键节点

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 30 日 14:41 | 分类 企业 , 磷化铟 | edit

7月30日，全球光模块龙头中际旭创正式在香港联交所主板挂牌交易。公司本次H股发行定价为每股980港元，基础募集资金规模达534.10亿港元（折合募资净额约545.13亿港元）。 图片来源：苏州工业园区发布 若全额行使15%的超额配售权，总募资规模将升至614.22亿港元。这不仅...  [详内文]

30亿元功率半导体项目签约落户

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 29 日 15:59 | 分类 功率 | edit

7月24日，总投资额30亿元的特色功率半导体芯片生产线项目正式签约落户常州天宁经济开发区。 该项目由江苏烨创微电子有限公司牵头，联合产业链上下游企业共同投资建设，将分两阶段推进晶圆产线建设，补齐当地功率半导体规模化制造短板。 根据签约规划，项目整体采取分期落地模式。一期规划用地1...  [详内文]

SiC设备量产交付，订单排至年底

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 29 日 15:55 | 分类 碳化硅SiC | edit

7月29日武汉东湖高新区官方发布消息，位于武汉光谷的硅来半导体（武汉）有限公司碳化硅激光衬底装备基地正式投用，自研双光刀SiC激光隐切设备实现规模化量产交付，凭借双光源同步作业架构，设备加工效率较行业主流单激光方案提升3倍，当前在手订单已经排至2026年年底，首批设备已发往马来西...  [详内文]

北方华创、中微等押注，这家厂商启动IPO！

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 29 日 15:51 | 分类 企业 | edit

近期，碳化硅半导体零部件领域资本动作频频。苏州新美光于7月24日正式启动A股IPO辅导，吉盛微则于近日获得农银资本独家投资。两家企业在半导体零部件国产化进程中各有落子，其中碳化硅部件是共同的重要发力方向。 新美光启动IPO辅导，碳化硅部件已通过头部客户验证 证监会官网信息显示，苏...  [详内文]

打通半导体电子供需通道，共探行业发展新机遇，2026亚太半导体展完美收官！

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 28 日 15:00 | 分类 展会 | edit

2026年7月19日，2026亚太国际半导体暨电子技术展览会在青岛国际会展中心（红岛馆）圆满闭幕！ 本届亚太半导体展汇聚全球领域顶尖力量，60000㎡展览面积，1168家优质参展商，同期举办20余场高端论坛及跨国采购对接会，共接待101196位海内外专业观众及专业采购团172...  [详内文]

超1.5亿元融资，氧化镓领域再获资本加持

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 28 日 14:31 | 分类 企业 , 氧化镓 | edit

7月27日科创板日报披露，北京铭镓半导体有限公司顺利完成金额超1.5亿元Pre-B轮股权融资，本轮由千曦资本、芯禾资本、安阳经开集团、粤科金融、天鹰资本、洪泰基金联合出资入局，继续加码超宽禁带半导体材料研发与产能建设。 铭镓半导体2020年成立，核心聚焦第四代超宽禁带半导体氧化镓...  [详内文]

功率半导体大厂架构重组！回应产能供应新情况

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 28 日 14:24 | 分类 企业 , 功率 | edit

功率半导体市场正在经历一轮结构性变化。AI算力集群的快速扩张带动了从电网到芯片的整条供电链路的需求增长，碳化硅和氮化镓等宽禁带材料也从实验室走向规模化量产和商用落地，与此同时中国新能源汽车渗透率持续攀升。这些趋势叠加在一起，对功率半导体器件的效率、功率密度和可靠性提出了新的要求。...  [详内文]

上市刚满月就砸近2亿盖厂，这家SiC新贵在急什么？

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 28 日 14:13 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

7月27日晚间，刚在港股挂牌满月，基本半导体就搞了个大动作：直接抛出1.933亿元的大单，要在深圳坪山砸出一个近6万平方米的车规级碳化硅（SiC）封装基地。 这是基本半导体于今年7月初在港交所主板挂牌、净募资约7.7亿港元后，落地的首个大型固定资产投资项目。公告显示，项目资金由公...  [详内文]

镓仁半导体氧化镓厚膜外延材料完成器件级验证

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 27 日 15:17 | 分类 氧化镓 | edit

近期，杭州镓仁半导体自研自产的氧化镓（β-Ga₂O₃）同质厚膜外延片，在西安电子科技大学实验室完成肖特基势垒二极管（SBD）无终端结构器件流片制备，各项电学性能参数顺利通过可靠性测试验证，标志其氧化镓外延材料达到功率器件量产可用水准。 氧化镓作为第四代超宽禁带半导体材料，具备超宽...  [详内文]

布局GaN板级电源技术，宏微科技子公司与合肥工业大学达成合作

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 27 日 15:14 | 分类 企业 , 氮化镓GaN | edit

近日，据宏微科技官网发布消息，7月17日江苏宏微科技股份有限公司子公司#上海宏微爱赛半导体有限公司，与合肥工业大学正式签署校企合作协议，双方聚焦AI数据中心AIDC板级供电痛点，联合攻关基于GaN HEMT氮化镓高电子迁移率晶体管的三级电源核心技术。 随着AI服务器单机功耗、机柜...  [详内文]