布局GaN板级电源技术，宏微科技子公司与合肥工业大学达成合作

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 27 日 15:14 | 分类 企业 , 氮化镓GaN | edit

近日，据宏微科技官网发布消息，7月17日江苏宏微科技股份有限公司子公司#上海宏微爱赛半导体有限公司，与合肥工业大学正式签署校企合作协议，双方聚焦AI数据中心AIDC板级供电痛点，联合攻关基于GaN HEMT氮化镓高电子迁移率晶体管的三级电源核心技术。 随着AI服务器单机功耗、机柜...  [详内文]

20亿美元！传两家大厂签订碳化硅长约

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 27 日 15:11 | 分类 碳化硅SiC | edit

据《经济日报》7月27日报道，市场消息指出，电源巨头厂商台达电子与全球功率半导体龙头德国英飞凌（Infineon）已签署总金额高达20亿美元（约合新台币650亿元）的碳化硅（SiC）长期供货协议（LTA）。这是台达电子近年来签署的规模最大的材料长期供货协议。 针对该项市场传闻，台...  [详内文]

国产SiC技术出海！助力韩厂切入高压功率赛道

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 24 日 14:07 | 分类 功率 , 碳化硅SiC | edit

7月23日，纳微半导体与韩国MagnaChip（美格纳半导体）联合官宣达成碳化硅技术战略授权合作，纳微向后者授予第四代、第五代GeneSiC™碳化硅完整专利与架构使用权，帮助MagnaChip正式切入高压、超高压碳化硅功率器件赛道。 根据双方协议条款，本次授权核心为纳微自研沟槽辅...  [详内文]

最高8.55亿元，这家厂商宣布拿下磷化铟衬底长期供货订单

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 24 日 14:04 | 分类 企业 , 磷化铟 | edit

7月23日晚间，云南锗业发布重大经营合同公告，公司控股子公司云南鑫耀半导体与下游客户签署磷化铟晶片（衬底）供货协议，合同含税总金额区间为5.7亿元至8.55亿元，上限金额达8.55亿元，履约周期覆盖2026年8月1日至2027年12月31日，产品将按计划分批交付。 图片来源：云...  [详内文]

化合物半导体设备厂商，完成数千万元战略融资

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 24 日 13:59 | 分类 企业 , 化合物半导体 | edit

近日，上海邦芯半导体科技有限公司完成一轮数千万元战略融资，本轮投资方为初芯控股集团，资金将重点用于第三代半导体刻蚀、薄膜沉积设备迭代研发与产能扩充，加速国产前道工艺设备客户端批量导入。 邦芯半导体2020年成立，为国家级专精特新“小巨人”企业，核心聚焦硅基特种工艺设备与化合物半导...  [详内文]

英飞凌发布抗辐射栅极驱动芯片，助力GaN“上天”

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 23 日 17:27 | 分类 企业 , 氮化镓GaN | edit

英飞凌近日宣布推出RIC70115抗辐射栅极驱动芯片。该产品专为氮化镓功率半导体控制设计，同时兼容硅基器件，主要面向卫星及其他高可靠性航天应用场景。 太空中的辐射环境对半导体器件构成双重威胁：累积性辐射损伤会逐步劣化器件性能，而高能粒子引发的单粒子效应则可能导致电路瞬间误动作。 ...  [详内文]

瑞能半导体推出WMSC系列碳化硅功率模块

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 23 日 17:24 | 分类 碳化硅SiC | edit

7月20日，瑞能半导体（WeEn Semiconductors）官方发布消息，正式推出WMSC全系列碳化硅功率模块，产品面向固态变压器（SST）、新能源汽车超充、智能电网与可再生能源等高功率转换场景。本次新品包含20余款标准化器件，目前已开放样品申领与批量供货通道。 图片来源：...  [详内文]

磷化铟、金刚石、碳化硅耗材同步扩产！

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 23 日 17:20 | 分类 企业 , 化合物半导体 , 碳化硅SiC | edit

AI算力基础设施持续扩容，带动化合物半导体上游材料、关键耗材赛道投资热度持续上行。 近期国内三个差异化化合物半导体项目相继迎来落地、建设关键节点： 上海九东半导体磷化铟衬底制造项目签约落户云南曲靖 湖北碳六科技CVD金刚石半导体材料生产基地落地青海西宁 安徽四象半导体合肥基地推...  [详内文]

山东大学与远山半导体联手突破1800V增强型GaN功率器件，破解中高压应用关键瓶颈

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 22 日 15:15 | 分类 氮化镓GaN | edit

近期，山东大学集成电路学院刘超教授团队联合远山半导体在高压氮化镓（GaN）功率晶体管领域取得重要进展，基于极化超结（PSJ）技术成功研制出1800V耐压、电流超过20A的增强型（E-mode）GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）。相关研究成果以“1800V/20A E-mode ...  [详内文]

学界首次制备氮化镓纳米晶体

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 22 日 15:13 | 分类 氮化镓GaN | edit

7月15日，美国芝加哥大学联合阿贡国家实验室团队在国际顶刊《Nature》刊发重磅研究，采用全新熔融盐制备工艺，全球首次实现氮化镓等金属氮化物胶体纳米晶可控合成，打破长期以来金属氮化物无法制备纳米晶体的技术壁垒，为印刷电子、柔性照明、医疗植入、工业催化等赛道开辟全新材料路径。 纳...  [详内文]