总投资6.3亿，第三代等先进半导体项目（二期）通过竣工验收！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 11 日 17:14 | 分类半导体产业

近日，据北京顺义最新消息，顺义区第三代等先进半导体产业标准化厂房项目（二期）顺利通过竣工验收。该项目位于顺义新城3401街区，由科创集团投资建设，总投资额达到6.3亿元人民币。项目占地面积4万平方米，总建筑面积6.47万平方米，其中地上建筑面积53708.03平方米，地下建筑面... [详内文]

Wolfspeed、英诺赛科动态，涉及碳化硅、氮化镓新品

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 11 日 17:05 | 分类企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC

第三代半导体领域，Wolfspeed与英诺赛科近日推出创新产品——Wolfspeed发布第四代1200V车规级碳化硅MOSFET，英诺赛科推出全球首款100V氮化镓低边驱动IC，双双发力，为新能源汽车动力系统与电池管理生态注入新动能。 1、Wolfspeed推出第四代1200V车... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 11 日 16:52 | 分类氮化镓GaN , 碳化硅SiC

8月7日，深圳平湖实验室官微宣布，深圳平湖实验室近日在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延。据了解，该成果打破了大尺寸GaN与SiC材料单片集成的技术瓶颈，为GaN/SiC混合器件的发... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 11 日 16:42 | 分类企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC

8月7日，中芯国际联合CEO赵海军在业绩会上表示，公司未来将根据国际客户的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓）等第三代半导体产能。这一战略举措标志着中芯国际在第三代半导体领域的进一步拓展，旨在满足国内市场对高端半导体产品的需求，... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 11 日 14:39 | 分类企业 , 氮化镓GaN

随着5G/6G通信、雷达系统、卫星互连等高频高功率应用场景的快速发展，碳化硅衬底氮化镓（GaN on SiC）技术已成为全球半导体产业的竞争焦点。在国际厂商主导的市场格局下，国内产业链的自主化进程对高可靠性、高性能、低成本的本土工艺平台需求日益迫切。近日，合肥欧益睿芯科技有限公... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 11 日 14:01 | 分类企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC

随着宽禁带半导体领域部分核心专利陆续到期，一场技术创新的浪潮正悄然兴起。英国初创公司#栅源漏半导体（Gate Source Drain Semiconductor Ltd）抓住这一历史机遇，正专注于研发新一代的专利保护型宽禁带半导体材料与器件。该公司计划在未来2-3年内，推出垂直... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 07 日 17:12 | 分类碳化硅SiC

近期，罗姆半导体公布了2025财年一季度财报（2025年4月-6月）。该季，罗姆半导体实现营收1162亿日元，同比下滑1.8%，净利润为29亿日元，同比下滑14.3%。图片来源：罗姆半导体罗姆半导体表示，该季车用碳化硅器件销售保持稳健，但受客户调整因素影响，对外销售的SiC... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 07 日 17:09 | 分类碳化硅SiC

8月6日，根据九峰山实验室官微消息，九峰山实验室（JFS Laboratory）推出新型碳化硅沟槽MOSFET科研级器件样品，旨在满足产业及科研机构对具有完全自主知识产权的SiC沟槽新型器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动下一代碳化硅沟槽型MOSFET功率器件的产业发展。 ... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 07 日 17:05 | 分类报告

GaN已成为功率电子市场的重要增长点，其优越的材料性能赋予其在高频、高效、小型化电源应用中的独特优势，正在推动多个细分领域进入新一轮技术革新周期。在此情况下，TrendForce预估GaN功率器件市场规模将从2024年的3.9亿美金攀升至2030年的35.1亿美金，年复合增长率达... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 06 日 14:12 | 分类企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC

近期，纳微半导体公布2025年第二季度财报，同时该公司在财报会议中透露了碳化硅与氮化镓业务进展。图片来源：纳微半导体官网新闻稿截图据悉，英伟达已经与纳微半导体进行开发合作，以支持下一代 800V 数据中心。纳微半导体将在固态变压器（SST）、800V DC/DC以及48V... [详内文]